內存IC

型號	描述	庫存
MT46H64M32LFMA-6 IT:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 2Gb (64M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 168-WFBGA 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)	庫存6,588
MT46H64M32LFMA-6 WT:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 2Gb (64M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 168-WFBGA 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)	庫存6,444
MT46H64M32LFMA-6 WT:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 2Gb (64M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 168-WFBGA 供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)	庫存2,250
MT46H64M32LFT89MWC2-N1004 Micron Technology Inc.	內存 MOBILE DDR 2G DIE 64MX32 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,660
MT46H8M16LFBF-5 IT:K Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)	庫存4,734
MT46H8M16LFBF-5:K Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)	庫存7,974
MT46H8M16LFBF-5:K TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)	庫存8,892
MT46H8M16LFBF-6 AT:K Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)	庫存6,372
MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)	庫存5,796
MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)	庫存4,860
MT46H8M16LFBF-6:K Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)	庫存6,588
MT46H8M16LFCF-10 Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 104MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 7.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x10)	庫存4,356
MT46H8M16LFCF-10 IT Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 104MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 7.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x10)	庫存8,046
MT46H8M16LFCF-10 IT TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 104MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 7.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x10)	庫存3,562
MT46H8M16LFCF-10 TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 104MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 7.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x10)	庫存8,262
MT46H8M16LFCF-75 Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 6.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x10)	庫存8,154
MT46H8M16LFCF-75 IT Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 6.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-VFBGA 供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x10)	庫存8,766
MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 256Mb (8M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 104MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 7.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存8,640
MT46H8M32LFB5-5:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 256Mb (8M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存5,796
MT46H8M32LFB5-5:H TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 256Mb (8M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存4,158
MT46H8M32LFB5-5 IT:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 256Mb (8M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存7,398
MT46H8M32LFB5-5 IT:H TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 256Mb (8M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存5,832
MT46H8M32LFB5-6:A TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 256Mb (8M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存8,910
MT46H8M32LFB5-6:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 256Mb (8M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存759
MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 256Mb (8M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存4,734
MT46H8M32LFB5-6 IT:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 256Mb (8M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 5.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存616
MT46H8M32LFB5-75:A TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 256Mb (8M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 6.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存3,472
MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 256Mb (8M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 6.0ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-VFBGA 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)	庫存8,622
MT46V128M4BN-5B:F Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (128M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)	庫存6,426
MT46V128M4BN-5B:F TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (128M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)	庫存8,928

MT46H64M32LFMA-6 IT:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 2Gb (64M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 168-WFBGA
供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)

庫存6,588

MT46H64M32LFMA-6 WT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 2Gb (64M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 168-WFBGA
供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)

庫存6,444

MT46H64M32LFMA-6 WT:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 2Gb (64M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 168-WFBGA
供應商設備包裝: 168-WFBGA (12x12)

庫存2,250

MT46H64M32LFT89MWC2-N1004

Micron Technology Inc.

內存

MOBILE DDR 2G DIE 64MX32

制造商: Micron Technology Inc.
系列: *
內存類型: -
內存格式: -
技術: -
內存大小: -
內存接口: -
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,660

MT46H8M16LFBF-5 IT:K

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)

庫存4,734

MT46H8M16LFBF-5:K

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)

庫存7,974

MT46H8M16LFBF-5:K TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)

庫存8,892

MT46H8M16LFBF-6 AT:K

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)

庫存6,372

MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)

庫存5,796

MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)

庫存4,860

MT46H8M16LFBF-6:K

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x9)

庫存6,588

MT46H8M16LFCF-10

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 104MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 7.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x10)

庫存4,356

MT46H8M16LFCF-10 IT

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 104MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 7.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x10)

庫存8,046

MT46H8M16LFCF-10 IT TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 104MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 7.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x10)

庫存3,562

MT46H8M16LFCF-10 TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 104MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 7.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x10)

庫存8,262

MT46H8M16LFCF-75

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 6.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x10)

庫存8,154

MT46H8M16LFCF-75 IT

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 6.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-VFBGA
供應商設備包裝: 60-VFBGA (8x10)

庫存8,766

MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 256Mb (8M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 104MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 7.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存8,640

MT46H8M32LFB5-5:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 256Mb (8M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存5,796

MT46H8M32LFB5-5:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 256Mb (8M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存4,158

MT46H8M32LFB5-5 IT:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 256Mb (8M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存7,398

MT46H8M32LFB5-5 IT:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 256Mb (8M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存5,832

MT46H8M32LFB5-6:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 256Mb (8M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存8,910

MT46H8M32LFB5-6:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 256Mb (8M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存759

MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 256Mb (8M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存4,734

MT46H8M32LFB5-6 IT:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 256Mb (8M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 5.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存616

MT46H8M32LFB5-75:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 256Mb (8M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 6.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存3,472

MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 256Mb (8M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 6.0ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-VFBGA
供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

庫存8,622

MT46V128M4BN-5B:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (128M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)

庫存6,426

MT46V128M4BN-5B:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (128M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)

庫存8,928

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