內存IC

MT46V128M4TG-6T:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (128M x 4)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V128M4TG-6T:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (128M x 4)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V128M4TG-75:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (128M x 4)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 750ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V128M4TG-75:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (128M x 4)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 750ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V128M4TG-75E:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (128M x 4)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 750ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V128M4TG-75E:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 512Mb (128M x 4)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 750ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V128M8P-6T:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V128M8P-6T:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V128M8P-6T IT:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V128M8P-75:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 750ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V128M8P-75:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 750ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V128M8TG-6T:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V128M8TG-6T:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V128M8TG-75:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 750ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V128M8TG-75:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 750ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP

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MT46V16M16BG-5B:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-FBGA
• 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)

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MT46V16M16BG-6:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-FBGA
• 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)

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MT46V16M16BG-6:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-FBGA
• 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)

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MT46V16M16BG-6 IT:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-FBGA
• 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)

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MT46V16M16CY-5B AAT:M

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12.5)

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MT46V16M16CY-5B AAT:M TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12.5)

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MT46V16M16CY-5B AIT:M

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12.5)

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MT46V16M16CY-5B AIT:M TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12.5)

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MT46V16M16CY-5B IT:M

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12.5)

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MT46V16M16CY-5B IT:M TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12.5)

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MT46V16M16CY-5B:K TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12.5)

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MT46V16M16CY-5B:M

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12.5)

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MT46V16M16CY-5B:M TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12.5)

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MT46V16M16CY-5B XIT:M

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12.5)

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MT46V16M16CY-5B XIT:M TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12.5)

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