內存IC

型號	描述	庫存
MT46V32M16CY-5B L IT:J Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12.5)	庫存4,176
MT46V32M16CY-5B XIT:J Micron Technology Inc.	內存 IC SDRAM DDR 512M 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512M (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12.5)	庫存8,622
MT46V32M16CY-5B XIT:J TR Micron Technology Inc.	內存 IC SDRAM DDR 512M 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512M (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12.5)	庫存6,624
MT46V32M16FN-5B:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)	庫存2,358
MT46V32M16FN-5B:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)	庫存5,652
MT46V32M16FN-5B:F Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)	庫存5,670
MT46V32M16FN-5B:F TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)	庫存7,200
MT46V32M16FN-6:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)	庫存3,924
MT46V32M16FN-6:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)	庫存3,024
MT46V32M16FN-6:F Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)	庫存6,318
MT46V32M16FN-6:F TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)	庫存5,742
MT46V32M16FN-6 IT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)	庫存6,750
MT46V32M16FN-6 IT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)	庫存2,268
MT46V32M16FN-6 IT:F Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)	庫存6,588
MT46V32M16FN-6 IT:F TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)	庫存6,390
MT46V32M16FN-75:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)	庫存7,092
MT46V32M16FN-75:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)	庫存2,196
MT46V32M16FN-75 IT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)	庫存3,042
MT46V32M16FN-75 IT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)	庫存2,628
MT46V32M16FN-75 L:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)	庫存2,952
MT46V32M16FN-75 L:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)	庫存7,938
MT46V32M16P-5B AIT:J Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存8,100
MT46V32M16P-5B AIT:J TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存7,830
MT46V32M16P-5B:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存8,406
MT46V32M16P-5B:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存7,524
MT46V32M16P-5B:F Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存23,099
MT46V32M16P-5B:F TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存7,614
MT46V32M16P-5B IT:F TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存2,970
MT46V32M16P-5B IT:J Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存13,181
MT46V32M16P-5B IT:J TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存2,700

MT46V32M16CY-5B L IT:J

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12.5)

庫存4,176

MT46V32M16CY-5B XIT:J

Micron Technology Inc.

內存

IC SDRAM DDR 512M 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512M (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12.5)

庫存8,622

MT46V32M16CY-5B XIT:J TR

Micron Technology Inc.

內存

IC SDRAM DDR 512M 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512M (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12.5)

庫存6,624

MT46V32M16FN-5B:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)

庫存2,358

MT46V32M16FN-5B:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)

庫存5,652

MT46V32M16FN-5B:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)

庫存5,670

MT46V32M16FN-5B:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)

庫存7,200

MT46V32M16FN-6:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)

庫存3,924

MT46V32M16FN-6:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)

庫存3,024

MT46V32M16FN-6:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)

庫存6,318

MT46V32M16FN-6:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)

庫存5,742

MT46V32M16FN-6 IT:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)

庫存6,750

MT46V32M16FN-6 IT:C TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)

庫存2,268

MT46V32M16FN-6 IT:F

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)

庫存6,588

MT46V32M16FN-6 IT:F TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)

庫存6,390

MT46V32M16FN-75:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)

庫存7,092

MT46V32M16FN-75:C TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)

庫存2,196

MT46V32M16FN-75 IT:C

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)

庫存3,042

MT46V32M16FN-75 IT:C TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)

庫存2,628

MT46V32M16FN-75 L:C

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)

庫存2,952

MT46V32M16FN-75 L:C TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (10x12.5)

庫存7,938

MT46V32M16P-5B AIT:J

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存8,100

MT46V32M16P-5B AIT:J TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存7,830

MT46V32M16P-5B:C

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存8,406

MT46V32M16P-5B:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存7,524

MT46V32M16P-5B:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存23,099

MT46V32M16P-5B:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存7,614

MT46V32M16P-5B IT:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存2,970

MT46V32M16P-5B IT:J

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存13,181

MT46V32M16P-5B IT:J TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存2,700

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