內存IC

型號	描述	庫存
MT46V32M16TG-5B:J Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存2,070
MT46V32M16TG-5B:J TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存5,958
MT46V32M16TG-6T:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存6,696
MT46V32M16TG-6T:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存3,924
MT46V32M16TG-6T:F Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存2,106
MT46V32M16TG-6T:F TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存7,344
MT46V32M16TG-6T IT:F Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存6,930
MT46V32M16TG-6T IT:F TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存3,618
MT46V32M16TG-75:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存4,410
MT46V32M16TG-75:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存2,448
MT46V32M16TG-75E:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存4,248
MT46V32M16TG-75E:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存6,552
MT46V32M16TG-75 IT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存3,526
MT46V32M16TG-75 IT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存6,264
MT46V32M16TG-75 L:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存4,248
MT46V32M16TG-75 L:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存7,524
MT46V32M16TG-75Z:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存3,834
MT46V32M16TG-75Z:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存8,712
MT46V32M4P-5B:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 128Mb (32M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存6,300
MT46V32M4P-5B:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 128Mb (32M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存6,516
MT46V32M4P-6T:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 128Mb (32M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存4,248
MT46V32M4P-6T:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 128Mb (32M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存3,906
MT46V32M4TG-5B:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 128Mb (32M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存8,136
MT46V32M4TG-5B:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 128Mb (32M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存2,232
MT46V32M4TG-6T:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 128Mb (32M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存6,372
MT46V32M4TG-75:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 128Mb (32M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存4,446
MT46V32M4TG-75:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 128Mb (32M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存7,290
MT46V32M8BG-5B:GTR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (32M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)	庫存5,346
MT46V32M8BG-6:GTR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (32M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)	庫存2,718
MT46V32M8BG-6 IT:G TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (32M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)	庫存8,046

MT46V32M16TG-5B:J

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存2,070

MT46V32M16TG-5B:J TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存5,958

MT46V32M16TG-6T:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存6,696

MT46V32M16TG-6T:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存3,924

MT46V32M16TG-6T:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存2,106

MT46V32M16TG-6T:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存7,344

MT46V32M16TG-6T IT:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存6,930

MT46V32M16TG-6T IT:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存3,618

MT46V32M16TG-75:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存4,410

MT46V32M16TG-75:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存2,448

MT46V32M16TG-75E:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存4,248

MT46V32M16TG-75E:C TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存6,552

MT46V32M16TG-75 IT:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存3,526

MT46V32M16TG-75 IT:C TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存6,264

MT46V32M16TG-75 L:C

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存4,248

MT46V32M16TG-75 L:C TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存7,524

MT46V32M16TG-75Z:C

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存3,834

MT46V32M16TG-75Z:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存8,712

MT46V32M4P-5B:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 128Mb (32M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存6,300

MT46V32M4P-5B:D TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 128Mb (32M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存6,516

MT46V32M4P-6T:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 128Mb (32M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存4,248

MT46V32M4P-6T:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 128Mb (32M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存3,906

MT46V32M4TG-5B:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 128Mb (32M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存8,136

MT46V32M4TG-5B:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 128Mb (32M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存2,232

MT46V32M4TG-6T:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 128Mb (32M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存6,372

MT46V32M4TG-75:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 128Mb (32M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存4,446

MT46V32M4TG-75:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 128Mb (32M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存7,290

MT46V32M8BG-5B:GTR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (32M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)

庫存5,346

MT46V32M8BG-6:GTR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (32M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)

庫存2,718

MT46V32M8BG-6 IT:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (32M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)

庫存8,046

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