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描述
庫存
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MT46V32M16P-5B:J
MT46V32M16P-5B:J

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存13,065
MT46V32M16P-5B:J TR
MT46V32M16P-5B:J TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存16,686
MT46V32M16P-5B L:J
MT46V32M16P-5B L:J

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存6,840
MT46V32M16P-5B L:J TR
MT46V32M16P-5B L:J TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存8,748
MT46V32M16P-5B XIT:J
MT46V32M16P-5B XIT:J

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存3,062
MT46V32M16P-5B XIT:J TR
MT46V32M16P-5B XIT:J TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存8,478
MT46V32M16P-6T:C
MT46V32M16P-6T:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存3,526
MT46V32M16P-6T:C TR
MT46V32M16P-6T:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存7,848
MT46V32M16P-6T:F
MT46V32M16P-6T:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存104,699
MT46V32M16P-6T:F TR
MT46V32M16P-6T:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存4,320
MT46V32M16P-6T IT:F
MT46V32M16P-6T IT:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存4,951
MT46V32M16P-6T IT:F TR
MT46V32M16P-6T IT:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存3,454
MT46V32M16P-6T L:F
MT46V32M16P-6T L:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存6,660
MT46V32M16P-6T L:F TR
MT46V32M16P-6T L:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存4,842
MT46V32M16P-6T L IT:F
MT46V32M16P-6T L IT:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存3,978
MT46V32M16P-75:C
MT46V32M16P-75:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存4,482
MT46V32M16P-75:C TR
MT46V32M16P-75:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存3,258
MT46V32M16P-75 IT:C
MT46V32M16P-75 IT:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存6,660
MT46V32M16P-75 IT:C TR
MT46V32M16P-75 IT:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存2,016
MT46V32M16P-75 L:C
MT46V32M16P-75 L:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存4,158
MT46V32M16P-75 L:C TR
MT46V32M16P-75 L:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存7,092
MT46V32M16T67A3WC1
MT46V32M16T67A3WC1

Micron Technology Inc.

內存

DDR 512M DIE 32MX16

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: *
  • 內存類型: -
  • 內存格式: -
  • 技術: -
  • 內存大小: -
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存6,498
MT46V32M16TG-5B:C
MT46V32M16TG-5B:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存1,952
MT46V32M16TG-5B:C TR
MT46V32M16TG-5B:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存3,490
MT46V32M16TG-5B:F
MT46V32M16TG-5B:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存3,294
MT46V32M16TG-5B:F TR
MT46V32M16TG-5B:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存4,392
MT46V32M16TG-5B IT:J
MT46V32M16TG-5B IT:J

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存8,298
MT46V32M16TG-5B IT:J
MT46V32M16TG-5B IT:J

Alliance Memory, Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Alliance Memory, Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存3,436
MT46V32M16TG-5B IT:JTR
MT46V32M16TG-5B IT:JTR

Alliance Memory, Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Alliance Memory, Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存5,058
MT46V32M16TG-5B IT:J TR
MT46V32M16TG-5B IT:J TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存2,700