內存IC

型號	描述	庫存
MT46V64M8P-5B L IT:F Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存3,708
MT46V64M8P-5B L IT:J Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存4,608
MT46V64M8P-5B L IT:J TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存6,390
MT46V64M8P-6T:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存7,614
MT46V64M8P-6T:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存7,416
MT46V64M8P-6T:F Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存7,794
MT46V64M8P-6T:F TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存4,356
MT46V64M8P-6T IT:F Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存7,902
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MT46V64M8P-6T L:F Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存3,580
MT46V64M8P-6T L:F TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存8,838
MT46V64M8P-75:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存2,916
MT46V64M8P-75:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存4,968
MT46V64M8P-75 IT:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存8,118
MT46V64M8P-75 IT:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存4,842
MT46V64M8P-75 L:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存6,282
MT46V64M8P-75 L:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存7,254
MT46V64M8P-75Z:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存4,806
MT46V64M8P-75Z:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 750ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存4,986
MT46V64M8T67A3WC1 Micron Technology Inc.	內存 DDR 512M DIE 64MX8 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,754
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MT46V64M8TG-5B IT:J Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存4,716
MT46V64M8TG-5B IT:J TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存8,658
MT46V64M8TG-5B:J Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存4,968
MT46V64M8TG-5B:J TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存4,068
MT46V64M8TG-6T:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存2,430
MT46V64M8TG-6T:F TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存5,940
MT46V64M8TG-6T IT:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存2,880
MT46V64M8TG-6T IT:F TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存7,812
MT46V64M8TG-6T L:F Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP	庫存7,506

MT46V64M8P-5B L IT:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存3,708

MT46V64M8P-5B L IT:J

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存4,608

MT46V64M8P-5B L IT:J TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存6,390

MT46V64M8P-6T:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存7,614

MT46V64M8P-6T:D TR

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內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存7,416

MT46V64M8P-6T:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存7,794

MT46V64M8P-6T:F TR

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內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存4,356

MT46V64M8P-6T IT:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存7,902

MT46V64M8P-6T IT:F TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存3,708

MT46V64M8P-6T L:F

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存3,580

MT46V64M8P-6T L:F TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存8,838

MT46V64M8P-75:D

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存2,916

MT46V64M8P-75:D TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存4,968

MT46V64M8P-75 IT:D

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存8,118

MT46V64M8P-75 IT:D TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存4,842

MT46V64M8P-75 L:D

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存6,282

MT46V64M8P-75 L:D TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存7,254

MT46V64M8P-75Z:D

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存4,806

MT46V64M8P-75Z:D TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 750ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存4,986

MT46V64M8T67A3WC1

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DDR 512M DIE 64MX8

制造商: Micron Technology Inc.
系列: *
內存類型: -
內存格式: -
技術: -
內存大小: -
內存接口: -
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,754

MT46V64M8TG-5B:D TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存5,742

MT46V64M8TG-5B IT:J

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存4,716

MT46V64M8TG-5B IT:J TR

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存8,658

MT46V64M8TG-5B:J

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存4,968

MT46V64M8TG-5B:J TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存4,068

MT46V64M8TG-6T:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存2,430

MT46V64M8TG-6T:F TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存5,940

MT46V64M8TG-6T IT:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存2,880

MT46V64M8TG-6T IT:F TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存7,812

MT46V64M8TG-6T L:F

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP

庫存7,506

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