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描述
庫存
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MT46V32M8TG-6T L:G TR
MT46V32M8TG-6T L:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存4,842
MT46V32M8TG-75:G
MT46V32M8TG-75:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存3,600
MT46V32M8TG-75:G TR
MT46V32M8TG-75:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存5,184
MT46V32M8TG-75 IT:G
MT46V32M8TG-75 IT:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存6,066
MT46V32M8TG-75 IT:G TR
MT46V32M8TG-75 IT:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存8,874
MT46V32M8TG-75 L:G
MT46V32M8TG-75 L:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存6,462
MT46V32M8TG-75 L:G TR
MT46V32M8TG-75 L:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存4,356
MT46V32M8TG-75Z:G
MT46V32M8TG-75Z:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存6,462
MT46V32M8TG-75Z:G TR
MT46V32M8TG-75Z:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存5,670
MT46V64M16P-6T:A
MT46V64M16P-6T:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存7,776
MT46V64M16P-6T:A TR
MT46V64M16P-6T:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存7,164
MT46V64M16P-6T IT:A
MT46V64M16P-6T IT:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存7,092
MT46V64M16P-6T IT:A TR
MT46V64M16P-6T IT:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存4,446
MT46V64M16P-75:A
MT46V64M16P-75:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存5,040
MT46V64M16P-75:A TR
MT46V64M16P-75:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存8,802
MT46V64M16TG-6T:A
MT46V64M16TG-6T:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存6,858
MT46V64M16TG-6T:A TR
MT46V64M16TG-6T:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存6,264
MT46V64M16TG-6T IT:A TR
MT46V64M16TG-6T IT:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存2,304
MT46V64M16TG-75:A
MT46V64M16TG-75:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存5,112
MT46V64M16TG-75:A TR
MT46V64M16TG-75:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存2,520
MT46V64M4BG-5B:GTR
MT46V64M4BG-5B:GTR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (64M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-FBGA
  • 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)
庫存8,748
MT46V64M4BG-6:GTR
MT46V64M4BG-6:GTR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (64M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-FBGA
  • 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)
庫存6,012
MT46V64M4FG-5B:G TR
MT46V64M4FG-5B:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (64M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-FBGA
  • 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)
庫存2,790
MT46V64M4FG-6:G TR
MT46V64M4FG-6:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (64M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-FBGA
  • 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)
庫存8,694
MT46V64M4FG-75E:G
MT46V64M4FG-75E:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (64M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-FBGA
  • 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)
庫存5,238
MT46V64M4FG-75E:G TR
MT46V64M4FG-75E:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (64M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-FBGA
  • 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)
庫存8,352
MT46V64M4FG-75:G
MT46V64M4FG-75:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (64M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-FBGA
  • 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)
庫存7,416
MT46V64M4FG-75:G TR
MT46V64M4FG-75:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (64M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 750ps
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-FBGA
  • 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x14)
庫存7,092
MT46V64M4P-5B:G
MT46V64M4P-5B:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (64M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存3,330
MT46V64M4P-5B:G TR
MT46V64M4P-5B:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (64M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 700ps
  • 電壓-供電: 2.5V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP
庫存2,736