86-755-83210135

Send Message

Need Help?
Send Message

Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。
登錄 繁體中文 USD
購物車 0 個型號 上傳物料清單 節省妳的時間

內存IC

記錄 47,332
頁面 162/1578
圖片
型號
描述
庫存
數量
70V3579S5BFI8
70V3579S5BFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 208-LFBGA
  • 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)
庫存8,856
70V3579S5DR
70V3579S5DR

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 208-BFQFP
  • 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)
庫存7,920
70V3579S5DRI
70V3579S5DRI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 208-BFQFP
  • 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)
庫存4,626
70V3579S6BC
70V3579S6BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 256-LBGA
  • 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)
庫存6,570
70V3579S6BC8
70V3579S6BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 256-LBGA
  • 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)
庫存3,490
70V3579S6BCI
70V3579S6BCI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 256-LBGA
  • 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)
庫存3,762
70V3579S6BCI8
70V3579S6BCI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 256-LBGA
  • 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)
庫存3,132
70V3579S6BF
70V3579S6BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 208-LFBGA
  • 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)
庫存3,006
70V3579S6BF8
70V3579S6BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 208-LFBGA
  • 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)
庫存6,174
70V3579S6DR
70V3579S6DR

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 208-BFQFP
  • 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)
庫存6,948
70V3589S133BC
70V3589S133BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 256-LBGA
  • 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)
庫存3,240
70V3589S133BC8
70V3589S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 256-LBGA
  • 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)
庫存2,592
70V3589S133BCI
70V3589S133BCI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 256-LBGA
  • 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)
庫存8,712
70V3589S133BCI8
70V3589S133BCI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 256-LBGA
  • 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)
庫存6,372
70V3589S133BF
70V3589S133BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 208-LFBGA
  • 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)
庫存2,430
70V3589S133BF8
70V3589S133BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 208-LFBGA
  • 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)
庫存7,812
70V3589S133BFI
70V3589S133BFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 208-LFBGA
  • 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)
庫存7,038
70V3589S133BFI8
70V3589S133BFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 208-LFBGA
  • 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)
庫存7,956
70V3589S133DR
70V3589S133DR

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 208-BFQFP
  • 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)
庫存2,916
70V3589S133DRG
70V3589S133DRG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 208-BFQFP
  • 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)
庫存7,902
70V3589S133DRG8
70V3589S133DRG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 208-BFQFP
  • 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)
庫存8,334
70V3589S133DRGI
70V3589S133DRGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 208-BFQFP
  • 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)
庫存6,894
70V3589S133DRGI8
70V3589S133DRGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 208-BFQFP
  • 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)
庫存3,924
70V3589S133DRI
70V3589S133DRI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 208-BFQFP
  • 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)
庫存2,466
70V3589S166BC
70V3589S166BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 3.6ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 256-LBGA
  • 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)
庫存3,564
70V3589S166BC8
70V3589S166BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 3.6ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 256-LBGA
  • 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)
庫存7,722
70V3589S166BCG
70V3589S166BCG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 3.6ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 256-LBGA
  • 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)
庫存6,624
70V3589S166BF
70V3589S166BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 3.6ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 208-LFBGA
  • 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)
庫存8,928
70V3589S166BF8
70V3589S166BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 3.6ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 208-LFBGA
  • 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)
庫存6,246
70V3589S166BFG
70V3589S166BFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字，頁: -
  • 訪問時間: 3.6ns
  • 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 208-LFBGA
  • 供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)
庫存6,606