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70V3569S5BCI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 576K PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 576Kb (16K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70V3569S5BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 576Kb (16K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70V3569S5BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 576Kb (16K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70V3569S5BFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 576Kb (16K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70V3569S5BFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 576Kb (16K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70V3569S5DR

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 576Kb (16K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-BFQFP
• 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

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70V3569S5DRI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 576Kb (16K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-BFQFP
• 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

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70V3569S6BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 576K PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 576Kb (16K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70V3569S6BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 576K PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 576Kb (16K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70V3569S6BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 576Kb (16K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70V3569S6BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 576Kb (16K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70V3569S6BFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 576K PARALLEL 208FPBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 576Kb (16K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)

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70V3569S6DR

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 576Kb (16K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-BFQFP
• 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

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70V3569S6DRI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 576Kb (16K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-BFQFP
• 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

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70V3579S4BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70V3579S4BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70V3579S4BCG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70V3579S4BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70V3579S4BFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70V3579S4DR

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-BFQFP
• 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

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70V3579S4DRG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-BFQFP
• 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

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70V3579S5BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70V3579S5BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70V3579S5BCGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70V3579S5BCI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70V3579S5BCI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70V3579S5BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70V3579S5BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70V3579S5BFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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