晶體管

型號	描述	庫存
APTM20UM05SG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 317A J3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 317A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 158.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 448nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1136W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: Module 包裝/箱: J3 Module	庫存4,050
APTM20UM09SG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 195A J3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 74.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 217nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 780W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: Module 包裝/箱: J3 Module	庫存5,850
APTM50DAM17G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 180A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 560nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存4,752
APTM50DAM19G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 163A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 163A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.5mOhm @ 81.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 492nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1136W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存5,760
APTM50DAM35TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 99A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 99A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 781W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP4 包裝/箱: SP4	庫存7,416
APTM50DAM38CTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 90A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 246nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 694W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP4 包裝/箱: SP4	庫存3,384
APTM50DAM38TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 90A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 246nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 694W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP4 包裝/箱: SP4	庫存7,254
APTM50SKM17G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 180A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 560nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存4,626
APTM50SKM19G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 163A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 163A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.5mOhm @ 81.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 492nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1136W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存5,976
APTM50SKM35TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 99A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 99A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 781W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP4 包裝/箱: SP4	庫存8,028
APTM50SKM38TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 90A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 246nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 694W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP4 包裝/箱: SP4	庫存6,606
APTM50UM09FAG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 497A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 497A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 248.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 30mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1200nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 63300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 5000W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存4,302
APTM50UM13SAG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 335A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 335A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 167.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 20mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 800nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 42200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3290W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP6 包裝/箱: SP6	庫存4,122
APTM50UM19SG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 163A J3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 163A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 81.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 492nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1136W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: Module 包裝/箱: J3 Module	庫存5,976
APTM50UM25SG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 149A J3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 149A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 74.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 364nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: Module 包裝/箱: J3 Module	庫存7,146
APTML100U60R020T1AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 720mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 520W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存3,942
APTML10UM09R004T1AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 154A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 154A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9875pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 480W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存6,462
APTML20UM18R010T1AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 109A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 109A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9880pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 480W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存4,950
APTML50UM90R020T1AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 52A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 108mOhm @ 26A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 568W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存6,714
APTML60U12R020T1AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 45A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 22.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 568W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP1 包裝/箱: SP1	庫存6,156
ATP101-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 875pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ATPAK 包裝/箱: ATPAK (2 leads+tab)	庫存5,976
ATP101-TL-HX ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 875pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ATPAK 包裝/箱: ATPAK (2 leads+tab)	庫存5,202
ATP101-V-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ATPAK 包裝/箱: ATPAK (2 leads+tab)	庫存2,412
ATP102-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 40A ATPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18.5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1490pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ATPAK 包裝/箱: ATPAK (2 leads+tab)	庫存7,128
ATP103-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 55A ATPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 55A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2430pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ATPAK 包裝/箱: ATPAK (2 leads+tab)	庫存6,714
ATP104-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 38A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 76nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3950pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ATPAK 包裝/箱: ATPAK (2 leads+tab)	庫存5,292
ATP104-TL-HX ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 38A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 76nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3950pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ATPAK 包裝/箱: ATPAK (2 leads+tab)	庫存2,628
ATP106-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1380pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ATPAK 包裝/箱: ATPAK (2 leads+tab)	庫存7,704
ATP107-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ATPAK 包裝/箱: ATPAK (2 leads+tab)	庫存6,804
ATP108-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.4mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 79.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3850pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ATPAK 包裝/箱: ATPAK (2 leads+tab)	庫存51,816

APTM20UM05SG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 317A J3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 317A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 158.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 448nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1136W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: Module
包裝/箱: J3 Module

庫存4,050

APTM20UM09SG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 195A J3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 74.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 217nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: Module
包裝/箱: J3 Module

庫存5,850

APTM50DAM17G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 180A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 560nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存4,752

APTM50DAM19G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 163A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 163A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.5mOhm @ 81.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 492nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1136W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存5,760

APTM50DAM35TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 99A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 99A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 781W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP4
包裝/箱: SP4

庫存7,416

APTM50DAM38CTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 90A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 246nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 694W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP4
包裝/箱: SP4

庫存3,384

APTM50DAM38TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 90A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 246nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 694W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP4
包裝/箱: SP4

庫存7,254

APTM50SKM17G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 180A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 560nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存4,626

APTM50SKM19G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 163A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 163A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.5mOhm @ 81.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 492nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1136W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存5,976

APTM50SKM35TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 99A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 99A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 781W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP4
包裝/箱: SP4

庫存8,028

APTM50SKM38TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 90A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 246nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 694W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP4
包裝/箱: SP4

庫存6,606

APTM50UM09FAG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 497A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 497A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 248.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 30mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1200nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 63300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5000W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存4,302

APTM50UM13SAG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 335A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 335A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 167.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 20mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 800nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 42200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3290W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP6
包裝/箱: SP6

庫存4,122

APTM50UM19SG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 163A J3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 163A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 81.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 492nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1136W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: Module
包裝/箱: J3 Module

庫存5,976

APTM50UM25SG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 149A J3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 149A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 74.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 364nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: Module
包裝/箱: J3 Module

庫存7,146

APTML100U60R020T1AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 720mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 520W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存3,942

APTML10UM09R004T1AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 154A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 154A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9875pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 480W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存6,462

APTML20UM18R010T1AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 109A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 109A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9880pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 480W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存4,950

APTML50UM90R020T1AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 52A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 108mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 568W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存6,714

APTML60U12R020T1AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 45A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 568W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP1
包裝/箱: SP1

庫存6,156

ATP101-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 875pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ATPAK
包裝/箱: ATPAK (2 leads+tab)

庫存5,976

ATP101-TL-HX

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 875pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ATPAK
包裝/箱: ATPAK (2 leads+tab)

庫存5,202

ATP101-V-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ATPAK
包裝/箱: ATPAK (2 leads+tab)

庫存2,412

ATP102-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 40A ATPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1490pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ATPAK
包裝/箱: ATPAK (2 leads+tab)

庫存7,128

ATP103-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 55A ATPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 55A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2430pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ATPAK
包裝/箱: ATPAK (2 leads+tab)

庫存6,714

ATP104-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 38A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 76nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3950pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ATPAK
包裝/箱: ATPAK (2 leads+tab)

庫存5,292

ATP104-TL-HX

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 38A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 76nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3950pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ATPAK
包裝/箱: ATPAK (2 leads+tab)

庫存2,628

ATP106-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1380pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ATPAK
包裝/箱: ATPAK (2 leads+tab)

庫存7,704

ATP107-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ATPAK
包裝/箱: ATPAK (2 leads+tab)

庫存6,804

ATP108-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.4mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 79.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3850pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ATPAK
包裝/箱: ATPAK (2 leads+tab)

庫存51,816

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