晶體管

型號	描述	庫存
BSC120N03MSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 39A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存147,438
BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1870pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 66W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存1,142,814
BSC123N10LSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.6A (Ta), 71A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.3mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 72µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4900pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 114W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,696
BSC12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,338
BSC130P03LSGAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 22.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 22.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 73.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3670pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-3 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存52,158
BSC13DN30NSFDATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 16A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2450pF @ 150V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,042
BSC152N10NSFGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Ta), 63A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.2mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 72µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 114W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,240
BSC159N10LSFGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Ta), 63A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.9mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 72µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 114W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,806
BSC160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.8A (Ta), 42A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存223,680
BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 56A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.6V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,942
BSC16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 32µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 62.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存53,670
BSC190N12NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 120V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.6A (Ta), 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 39A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 42µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 60V FET功能: - 功耗（最大值）: 69W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,060
BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2420pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,840
BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Ta), 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19.6mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 42µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 78W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,326
BSC200P03LSGAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.9A (Ta), 12.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 12.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2430pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 63W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,888
BSC205N10LS G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Ta), 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20.5mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 43µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2900pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 76W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,330
BSC220N20NSFDATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 TRENCH >=100V 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 52A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 137µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3680pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 214W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSON-8-3 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,822
BSC22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 13µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 34W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,194
BSC240N12NS3 G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 120V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 31A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 60V FET功能: - 功耗（最大值）: 66W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,454
BSC252N10NSFGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25.2mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 43µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 78W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,336
BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26.5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 43µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 78W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,894
BSC320N20NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2350pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,526
BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta), 23A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 12µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 756pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 32W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存259,758
BSC350N20NSFDATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 35A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2410pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,284
BSC360N15NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 45µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1190pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存76,044
BSC430N25NSFDATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 TRENCH >=100V 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™, StrongIRFET™ FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSON-8-3 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,694
BSC440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 18A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta), 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 12µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 29W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,834
BSC500N20NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1580pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,510
BSC520N15NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 57W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存98,112
BSC600N25NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2350pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,754

BSC120N03MSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 39A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存147,438

BSC123N08NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 55A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1870pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 66W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存1,142,814

BSC123N10LSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.6A (Ta), 71A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 72µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4900pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 114W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,696

BSC12DN20NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,338

BSC130P03LSGAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 22.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 73.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3670pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-3
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存52,158

BSC13DN30NSFDATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 16A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2450pF @ 150V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,042

BSC152N10NSFGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Ta), 63A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 72µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 114W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,240

BSC159N10LSFGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Ta), 63A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 72µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 114W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,806

BSC160N10NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.8A (Ta), 42A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存223,680

BSC160N15NS5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 56A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.6V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,942

BSC16DN25NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 32µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 62.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存53,670

BSC190N12NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 120V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.6A (Ta), 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 39A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 42µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 60V
FET功能: -
功耗（最大值）: 69W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,060

BSC190N15NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2420pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,840

BSC196N10NSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Ta), 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19.6mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 42µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 78W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,326

BSC200P03LSGAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.9A (Ta), 12.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2430pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 63W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,888

BSC205N10LS G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Ta), 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20.5mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 43µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2900pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 76W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,330

BSC220N20NSFDATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

TRENCH >=100V

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 52A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 137µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3680pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 214W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSON-8-3
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,822

BSC22DN20NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 13µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 34W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,194

BSC240N12NS3 G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 120V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 31A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 60V
FET功能: -
功耗（最大值）: 66W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,454

BSC252N10NSFGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 43µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 78W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,336

BSC265N10LSFGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 43µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 78W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,894

BSC320N20NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2350pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,526

BSC340N08NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta), 23A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 12µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 756pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 32W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存259,758

BSC350N20NSFDATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 35A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2410pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,284

BSC360N15NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 45µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1190pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存76,044

BSC430N25NSFDATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

TRENCH >=100V

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™, StrongIRFET™
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSON-8-3
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,694

BSC440N10NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 18A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 12µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 29W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,834

BSC500N20NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1580pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,510

BSC520N15NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 57W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存98,112

BSC600N25NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2350pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,754

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