晶體管

型號	描述	庫存
BSP88E6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 240V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 108µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 95pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存7,488
BSP88H6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 4SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 240V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 108µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 95pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存22,374
BSP88L6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 240V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 108µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 95pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存7,848
BSP89,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 240V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-73 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存118,800
BSP89 E6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 240V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 108µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存6,912
BSP89H6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 4SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 240V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 108µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存34,548
BSP89L6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 240V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 108µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存3,132
BSP92P E6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 104pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存5,400
BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 260MA 4SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 104pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存29,574
BSP92PL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 104pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存4,842
BSR202NL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1147pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SC-59 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存49,332
BSR302NL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.6nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SC-59 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存5,850
BSR315PH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59-3 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 620mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 160µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 176pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SC-59 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存218,232
BSR315PL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 620mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 160µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 176pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SC-59 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,174
BSR316PH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 360mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 170µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 165pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SC-59 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,646
BSR316PL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 360mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 170µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 165pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SC-59 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存8,928
BSR606NH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 2.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 15µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.6nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 657pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SC-59 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,024
BSR802NL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 2.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 2.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 2.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1447pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SC-59 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存213,516
BSR92PH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 140mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11Ohm @ 140mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 109pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SC-59 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存69,168
BSR92PL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 0.14A SC-59 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 140mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11Ohm @ 140mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 109pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SC-59 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,204
BSS100 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 220MA TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 220mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	庫存7,506
BSS110 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V 170MA TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 170mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	庫存3,834
BSS119E6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存8,010
BSS119 E6433 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,534
BSS119 E7796 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存4,284
BSS119 E7978 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,210
BSS119L6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存4,122
BSS119L6433HTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存4,914
BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 190mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 13µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20.9pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存235,680
BSS119NH6433XTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 190mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 13µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20.9pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,690

BSP88E6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 240V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 108µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 95pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存7,488

BSP88H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 4SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 240V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 108µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 95pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存22,374

BSP88L6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 240V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 108µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 95pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存7,848

BSP89,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 240V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-73
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存118,800

BSP89 E6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 240V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 108µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存6,912

BSP89H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 4SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 240V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 108µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存34,548

BSP89L6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 240V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 108µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存3,132

BSP92P E6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 104pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存5,400

BSP92PH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 260MA 4SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 104pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存29,574

BSP92PL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 104pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存4,842

BSR202NL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1147pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SC-59
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存49,332

BSR302NL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.6nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SC-59
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存5,850

BSR315PH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59-3

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 620mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 160µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 176pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SC-59
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存218,232

BSR315PL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 620mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 160µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 176pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SC-59
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,174

BSR316PH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 360mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 170µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 165pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SC-59
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,646

BSR316PL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 360mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 170µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 165pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SC-59
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存8,928

BSR606NH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 15µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.6nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 657pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SC-59
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,024

BSR802NL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 2.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 2.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 2.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1447pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SC-59
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存213,516

BSR92PH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 140mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11Ohm @ 140mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 109pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SC-59
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存69,168

BSR92PL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 0.14A SC-59

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 140mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11Ohm @ 140mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 109pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SC-59
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,204

BSS100

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 220MA TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 220mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

庫存7,506

BSS110

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V 170MA TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 170mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

庫存3,834

BSS119E6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存8,010

BSS119 E6433

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,534

BSS119 E7796

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存4,284

BSS119 E7978

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,210

BSS119L6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存4,122

BSS119L6433HTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存4,914

BSS119NH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 190mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 13µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20.9pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存235,680

BSS119NH6433XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 190mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 13µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20.9pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,690

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