晶體管

型號	描述	庫存
IPD80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 80pF @ 500V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 13W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,462
IPD80R600P7ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 170µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 500V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,776
IPD80R750P7ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 140µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 500V FET功能: - 功耗（最大值）: 51W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,200
IPD80R900P7ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 110µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 500V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,400
IPD85P04P407ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6085pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 88W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-313 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,712
IPD85P04P4L06ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 104nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6580pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 88W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-313 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,438
IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9750pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存26,028
IPD90N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 45µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存19,152
IPD90N04S304ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,524
IPD90N04S3H4ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 65µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 115W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,376
IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 95µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 118nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9430pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-313 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,434
IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 53µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 66.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5260pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-313 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,660
IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 35.2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3440pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-313 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存165,000
IPD90N04S405ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 86A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2960pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 65W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-313 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存40,302
IPD90N04S4L04ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: +20V, -16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4690pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-313 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,634
IPD90N06S404ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 128nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,552
IPD90N06S404ATMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 128nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-11 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,384
IPD90N06S405ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.1mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,488
IPD90N06S405ATMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.1mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-11 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,860
IPD90N06S407ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,100
IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-11 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,262
IPD90N06S4L03ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,100
IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-11 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,724
IPD90N06S4L05ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8180pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,606
IPD90N06S4L05ATMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8180pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-11 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,646
IPD90N06S4L06ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5680pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,726
IPD90N06S4L06ATMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5680pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-11 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,356
IPD90N08S405ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 144W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-313 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,136
IPD90N10S406ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4870pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-313 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,302
IPD90N10S4L06ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-313 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存58,776

IPD80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 80pF @ 500V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 13W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,462

IPD80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 170µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 500V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,776

IPD80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 140µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 500V
FET功能: -
功耗（最大值）: 51W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,200

IPD80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 110µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 500V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,400

IPD85P04P407ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6085pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 88W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-313
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,712

IPD85P04P4L06ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 104nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6580pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 88W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-313
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,438

IPD90N03S4L02ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9750pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存26,028

IPD90N03S4L03ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 45µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存19,152

IPD90N04S304ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,524

IPD90N04S3H4ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 65µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 115W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,376

IPD90N04S402ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 95µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 118nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9430pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-313
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,434

IPD90N04S403ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 53µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 66.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5260pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-313
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,660

IPD90N04S404ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 35.2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3440pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-313
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存165,000

IPD90N04S405ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 86A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2960pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 65W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-313
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存40,302

IPD90N04S4L04ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: +20V, -16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4690pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-313
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,634

IPD90N06S404ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 128nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,552

IPD90N06S404ATMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 128nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-11
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,384

IPD90N06S405ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,488

IPD90N06S405ATMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-11
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,860

IPD90N06S407ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,100

IPD90N06S407ATMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-11
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,262

IPD90N06S4L03ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,100

IPD90N06S4L03ATMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-11
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,724

IPD90N06S4L05ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8180pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,606

IPD90N06S4L05ATMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8180pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-11
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,646

IPD90N06S4L06ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5680pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,726

IPD90N06S4L06ATMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5680pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-11
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,356

IPD90N08S405ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 144W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-313
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,136

IPD90N10S406ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4870pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-313
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,302

IPD90N10S4L06ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-313
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存58,776

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