晶體管

型號	描述	庫存
IPFH6N03LA G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 50A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2390pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: P-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,870
IPG20N04S409ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL_30/40V 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,956
IPI020N06NAKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 143µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 106nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7800pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 214W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,546
IPI023NE7N3 G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 273µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 206nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 37.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,382
IPI024N06N3GHKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 196µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 275nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,660
IPI024N06N3GXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 120A 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 196µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 275nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存29,736
IPI028N08N3GHKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 270µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 206nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14200pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,488
IPI029N06NAKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 75µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4100pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存10,248
IPI030N10N3GHKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 275µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 206nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14800pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,002
IPI030N10N3GXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 275µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 206nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14800pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,210
IPI032N06N3 G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 118µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 188W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存2,862
IPI032N06N3GAKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 120A 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 118µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 188W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,546
IPI034NE7N3 G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 155µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8130pF @ 37.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 214W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,274
IPI037N06L3GHKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 93µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 79nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,532
IPI037N08N3GHKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 155µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8110pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 214W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,560
IPI037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 100A 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 155µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8110pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 214W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,014
IPI03N03LA Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7027pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,786
IPI040N06N3GHKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 188W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,122
IPI040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 90A 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 188W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存14,844
IPI041N12N3GAKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 120V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 270µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 211nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13800pF @ 60V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,580
IPI045N10N3GXK Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ 3 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 137A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8410pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 214W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,730
IPI045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8410pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 214W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,172
IPI04CN10N G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 210nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13800pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,040
IPI04N03LA Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 80A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3877pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,598
IPI051N15N5AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MV POWER MOS 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,868
IPI052NE7N3 G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 91µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4750pF @ 37.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,768
IPI057N08N3 G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 69nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4750pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,274
IPI05CN10N G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 181nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存2,934
IPI05N03LA Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3110pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,868
IPI06CN10N G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 180µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 139nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9200pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 214W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,748

IPFH6N03LA G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2390pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: P-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,870

IPG20N04S409ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,956

IPI020N06NAKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 143µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 106nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7800pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 214W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,546

IPI023NE7N3 G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 273µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 206nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 37.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,382

IPI024N06N3GHKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 196µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 275nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,660

IPI024N06N3GXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 120A

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 196µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 275nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存29,736

IPI028N08N3GHKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 270µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 206nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14200pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,488

IPI029N06NAKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 75µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4100pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存10,248

IPI030N10N3GHKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 275µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 206nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14800pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,002

IPI030N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 275µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 206nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14800pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,210

IPI032N06N3 G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 118µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 188W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存2,862

IPI032N06N3GAKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 120A

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 118µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 188W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,546

IPI034NE7N3 G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 155µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8130pF @ 37.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 214W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,274

IPI037N06L3GHKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 93µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 79nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,532

IPI037N08N3GHKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 155µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8110pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 214W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,560

IPI037N08N3GXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 100A

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 155µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8110pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 214W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,014

IPI03N03LA

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7027pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,786

IPI040N06N3GHKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 188W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,122

IPI040N06N3GXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 90A

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 188W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存14,844

IPI041N12N3GAKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 120V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 270µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 211nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13800pF @ 60V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,580

IPI045N10N3GXK

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™ 3
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 137A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8410pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 214W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,730

IPI045N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8410pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 214W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,172

IPI04CN10N G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 210nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13800pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,040

IPI04N03LA

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 80A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3877pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,598

IPI051N15N5AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MV POWER MOS

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,868

IPI052NE7N3 G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 91µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4750pF @ 37.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,768

IPI057N08N3 G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 69nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4750pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,274

IPI05CN10N G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 181nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存2,934

IPI05N03LA

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3110pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,868

IPI06CN10N G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 180µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 139nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9200pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 214W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,748

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