晶體管

型號	描述	庫存
IPD90P03P404ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 253µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 137W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存51,816
IPD90P03P4L04ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 253µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V Vgs（最大）: +5V, -16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 137W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存86,736
IPD90P04P405ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 154nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-313 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存234,708
IPD90P04P405AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,482
IPD90P04P4L04ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 176nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11570pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-313 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存46,140
IPD90R1K2C3ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 310µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存86,472
IPD90R1K2C3BTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 310µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,904
IPD950P06NMSAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-313 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,824
IPD95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 950V 6A TO252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 950V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 140µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 478pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,628
IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 950V 4A TO252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 950V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 80µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 37W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存19,272
IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 950V 14A TO252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 950V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 360µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1053pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,254
IPD95R750P7ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 950V 9A TO252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 950V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 220µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 712pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 73W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,590
IPDD60R050G7XTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ G7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 800µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2670pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 278W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HDSOP-10-1 包裝/箱: 10-PowerSOP Module	庫存14,298
IPDD60R080G7XTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ G7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 490µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1640pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 174W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HDSOP-10-1 包裝/箱: 10-PowerSOP Module	庫存14,322
IPDD60R102G7XTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ G7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 102mOhm @ 7.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 390µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1320pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 139W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HDSOP-10-1 包裝/箱: 10-PowerSOP Module	庫存16,350
IPDD60R125G7XTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 650V 54A PG-HDSOP-10 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ G7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 320µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1080pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 120W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HDSOP-10-1 包裝/箱: 10-PowerSOP Module	庫存17,796
IPDD60R150G7XTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 650V 45A PG-HDSOP-10 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ G7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 5.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 260µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 902pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 95W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HDSOP-10-1 包裝/箱: 10-PowerSOP Module	庫存13,272
IPDD60R190G7XTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ G7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 210µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 718pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 76W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HDSOP-10-1 包裝/箱: 10-PowerSOP Module	庫存6,426
IPDH4N03LAG Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3200pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,758
IPDH5N03LA G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 50A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2653pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,444
IPDH6N03LAG Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2390pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,002
IPF04N03LA Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 50A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5199pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 115W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: P-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,668
IPF04N03LA G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 50A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5199pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 115W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: P-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,204
IPF05N03LA G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 50A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3110pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: P-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,178
IPF06N03LA G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 50A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2653pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: P-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,562
IPF09N03LA Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 50A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1642pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 63W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: P-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,590
IPF09N03LA G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 50A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1642pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 63W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: P-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,408
IPF10N03LA Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 30A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1358pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: P-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,316
IPF10N03LA G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 30A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1358pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: P-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,302
IPF13N03LA G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 30A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1043pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 46W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: P-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,748

IPD90P03P404ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 253µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 137W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存51,816

IPD90P03P4L04ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 253µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs（最大）: +5V, -16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 137W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存86,736

IPD90P04P405ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 154nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-313
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存234,708

IPD90P04P405AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,482

IPD90P04P4L04ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 176nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11570pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-313
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存46,140

IPD90R1K2C3ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 310µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存86,472

IPD90R1K2C3BTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 310µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,904

IPD950P06NMSAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-313
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,824

IPD95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 950V 6A TO252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 950V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 140µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 478pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,628

IPD95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 950V 4A TO252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 950V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 80µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 37W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存19,272

IPD95R450P7ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 950V 14A TO252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 950V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 360µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1053pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,254

IPD95R750P7ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 950V 9A TO252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 950V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 220µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 712pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 73W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,590

IPDD60R050G7XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ G7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 800µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2670pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 278W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HDSOP-10-1
包裝/箱: 10-PowerSOP Module

庫存14,298

IPDD60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ G7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 490µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1640pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 174W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HDSOP-10-1
包裝/箱: 10-PowerSOP Module

庫存14,322

IPDD60R102G7XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ G7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 102mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 390µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1320pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 139W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HDSOP-10-1
包裝/箱: 10-PowerSOP Module

庫存16,350

IPDD60R125G7XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 650V 54A PG-HDSOP-10

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ G7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 320µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1080pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 120W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HDSOP-10-1
包裝/箱: 10-PowerSOP Module

庫存17,796

IPDD60R150G7XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 650V 45A PG-HDSOP-10

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ G7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 260µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 902pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 95W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HDSOP-10-1
包裝/箱: 10-PowerSOP Module

庫存13,272

IPDD60R190G7XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ G7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 210µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 718pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 76W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HDSOP-10-1
包裝/箱: 10-PowerSOP Module

庫存6,426

IPDH4N03LAG

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3200pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,758

IPDH5N03LA G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2653pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,444

IPDH6N03LAG

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2390pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,002

IPF04N03LA

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5199pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 115W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: P-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,668

IPF04N03LA G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5199pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 115W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: P-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,204

IPF05N03LA G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3110pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: P-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,178

IPF06N03LA G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2653pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: P-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,562

IPF09N03LA

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1642pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 63W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: P-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,590

IPF09N03LA G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1642pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 63W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: P-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,408

IPF10N03LA

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1358pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: P-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,316

IPF10N03LA G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1358pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: P-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,302

IPF13N03LA G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1043pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 46W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: P-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,748

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