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晶體管

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IRL3715STRLPBF
IRL3715STRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 71W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存2,160
IRL3715STRR
IRL3715STRR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 71W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存6,660
IRL3715STRRPBF
IRL3715STRRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 71W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存4,266
IRL3715TR
IRL3715TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 71W (Tc)
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220AB
  • 包裝/箱: TO-220-3
庫存4,914
IRL3715TRL
IRL3715TRL

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 71W (Tc)
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220AB
  • 包裝/箱: TO-220-3
庫存3,474
IRL3715TRR
IRL3715TRR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 71W (Tc)
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220AB
  • 包裝/箱: TO-220-3
庫存7,146
IRL3715Z
IRL3715Z

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220AB
  • 包裝/箱: TO-220-3
庫存3,006
IRL3715ZCLPBF
IRL3715ZCLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 50A TO-262

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-262
  • 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
庫存7,110
IRL3715ZCS
IRL3715ZCS

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存5,148
IRL3715ZCSPBF
IRL3715ZCSPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存6,696
IRL3715ZCSTRLP
IRL3715ZCSTRLP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,384
IRL3715ZCSTRRP
IRL3715ZCSTRRP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存6,822
IRL3715ZL
IRL3715ZL

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 50A TO-262

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-262
  • 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
庫存7,650
IRL3715ZLPBF
IRL3715ZLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 50A TO-262

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-262
  • 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
庫存8,424
IRL3715ZPBF
IRL3715ZPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220AB
  • 包裝/箱: TO-220-3
庫存2,628
IRL3715ZS
IRL3715ZS

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存6,318
IRL3715ZSPBF
IRL3715ZSPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存2,304
IRL3715ZSTRL
IRL3715ZSTRL

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存5,202
IRL3715ZSTRLPBF
IRL3715ZSTRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,744
IRL3715ZSTRR
IRL3715ZSTRR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,384
IRL3715ZSTRRPBF
IRL3715ZSTRRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存5,616
IRL3716
IRL3716

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 79nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5090pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 210W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220AB
  • 包裝/箱: TO-220-3
庫存2,502
IRL3716LPBF
IRL3716LPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 180A TO-262

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 79nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5090pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 210W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-262
  • 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
庫存7,794
IRL3716PBF
IRL3716PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 79nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5090pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 210W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220AB
  • 包裝/箱: TO-220-3
庫存5,634
IRL3716S
IRL3716S

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 79nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5090pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 210W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存7,290
IRL3716SPBF
IRL3716SPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 79nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5090pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 210W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,654
IRL3716STRLPBF
IRL3716STRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 79nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5090pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 210W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,258
IRL3716STRRPBF
IRL3716STRRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 79nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5090pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 210W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存8,424
IRL3803
IRL3803

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 140A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±16V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5000pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 200W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220AB
  • 包裝/箱: TO-220-3
庫存5,706
IRL3803LPBF
IRL3803LPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 140A TO-262

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 140A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±16V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5000pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 200W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-262
  • 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
庫存5,436