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晶體管

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描述
庫存
數量
IRLR7807ZPBF
IRLR7807ZPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 43A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 43A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.25V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 780pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 40W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存7,056
IRLR7807ZTR
IRLR7807ZTR

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 43A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 43A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.25V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 780pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 40W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存3,294
IRLR7807ZTRLPBF
IRLR7807ZTRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 43A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 43A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.25V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 780pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 40W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存3,258
IRLR7807ZTRPBF
IRLR7807ZTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 43A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 43A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.25V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 780pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 40W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存5,634
IRLR7807ZTRRPBF
IRLR7807ZTRRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 43A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 43A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.25V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 780pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 40W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存2,988
IRLR7811WCPBF
IRLR7811WCPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 64A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 64A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 31nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2260pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 71W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存4,878
IRLR7811WCTRLP
IRLR7811WCTRLP

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 64A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 64A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 31nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2260pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 71W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存8,406
IRLR7811WCTRRP
IRLR7811WCTRRP

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 64A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 64A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 31nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2260pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 71W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存6,768
IRLR7811WPBF
IRLR7811WPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 64A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 64A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 31nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2260pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 71W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存8,460
IRLR7821CTRRPBF
IRLR7821CTRRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 65A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 14nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1030pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 75W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存7,776
IRLR7821PBF
IRLR7821PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 65A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 14nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1030pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 75W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存3,564
IRLR7821TRLPBF
IRLR7821TRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 65A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 14nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1030pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 75W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存5,094
IRLR7821TRPBF
IRLR7821TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 65A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 14nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1030pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 75W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存100,038
IRLR7821TRRPBF
IRLR7821TRRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 65A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 14nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1030pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 75W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存4,086
IRLR7833
IRLR7833

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 140A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 140A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 50nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4010pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 140W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存93,102
IRLR7833CPBF
IRLR7833CPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 140A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 140A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 140W (Tc)
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存2,100
IRLR7833CTRLPBF
IRLR7833CTRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 140A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 140A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 140W (Tc)
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存8,640
IRLR7833CTRRPBF
IRLR7833CTRRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 140A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 140A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 140W (Tc)
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存2,322
IRLR7833PBF
IRLR7833PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 140A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 140A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 50nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4010pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 140W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存2,376
IRLR7833TR
IRLR7833TR

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 140A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 140A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 50nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4010pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 140W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存8,298
IRLR7833TRL
IRLR7833TRL

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 140A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 140A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 50nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4010pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 140W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存4,374
IRLR7833TRLPBF
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晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 140A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 140A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 50nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4010pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 140W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存6,480
IRLR7833TRPBF
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晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 140A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 140A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 50nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4010pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 140W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存2,448
IRLR7833TRR
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晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 140A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 140A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 50nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4010pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 140W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存3,598
IRLR7833TRRPBF
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晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 140A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 140A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 50nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4010pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 140W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存4,248
IRLR7843CPBF
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Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 161A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 161A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 50nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4380pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 140W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存3,204
IRLR7843CTRPBF
IRLR7843CTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 161A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 161A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 50nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4380pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 140W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存7,236
IRLR7843PBF
IRLR7843PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 161A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 161A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 50nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4380pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 140W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存6,084
IRLR7843TR
IRLR7843TR

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 161A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 161A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 50nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4380pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 140W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存8,568
IRLR7843TRLPBF
IRLR7843TRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 161A DPAK

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 161A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 50nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4380pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 140W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D-Pak
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存3,510