晶體管

型號	描述	庫存
IRLR8721PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 65A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 65W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,856
IRLR8721TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 65A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 65W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,822
IRLR8721TRPBF-1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 65A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,424
IRLR8726PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2150pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,784
IRLR8726TRLPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2150pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,326
IRLR8726TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2150pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存286,362
IRLR8729PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 55W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,262
IRLR8729TRLPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 55W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,964
IRLR8729TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 58A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 55W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存22,620
IRLR8743PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 160A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4880pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 135W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,806
IRLR8743TRLPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 160A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4880pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 135W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,514
IRLR8743TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 160A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4880pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 135W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存107,388
IRLR9343-701PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 55V 20A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 79W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: I-PAK (LF701) 包裝/箱: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)	庫存8,586
IRLR9343PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 55V 20A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 79W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,714
IRLR9343TRLPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 55V 20A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 79W (Tc) 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,372
IRLR9343TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 55V 20A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 79W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-PAK (TO-252AA) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存105,114
IRLS3034-7PPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10990pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 380W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead) 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	庫存6,264
IRLS3034PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 195A D2-PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 162nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10315pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,820
IRLS3034TRL7PP Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10990pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 380W (Tc) 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead) 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	庫存30,072
IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 162nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10315pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存19,920
IRLS3036-7PPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11270pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 380W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead) 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	庫存4,590
IRLS3036PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 195A D2-PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11210pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 380W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,436
IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11270pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 380W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead) 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	庫存5,094
IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11210pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 380W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存23,136
IRLS3036TRRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11210pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 380W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,040
IRLS3813PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.95mOhm @ 148A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 83nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8020pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 195W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,210
IRLS3813TRLPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.95mOhm @ 148A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 83nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8020pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 195W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,076
IRLS4030-7PPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 190A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11490pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 370W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead) 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	庫存3,960
IRLS4030PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11360pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 370W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,460
IRLS4030TRL7PP Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 190A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11490pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 370W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead) 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	庫存6,714

IRLR8721PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 65W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,856

IRLR8721TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 65W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,822

IRLR8721TRPBF-1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,424

IRLR8726PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2150pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,784

IRLR8726TRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2150pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,326

IRLR8726TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2150pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存286,362

IRLR8729PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 55W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,262

IRLR8729TRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 55W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,964

IRLR8729TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 55W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存22,620

IRLR8743PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 160A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4880pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 135W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,806

IRLR8743TRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 160A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4880pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 135W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,514

IRLR8743TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 160A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4880pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 135W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存107,388

IRLR9343-701PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 55V 20A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 79W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: I-PAK (LF701)
包裝/箱: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)

庫存8,586

IRLR9343PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 55V 20A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 79W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,714

IRLR9343TRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 55V 20A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 79W (Tc)
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,372

IRLR9343TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 55V 20A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 79W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-PAK (TO-252AA)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存105,114

IRLS3034-7PPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10990pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 380W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead)
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

庫存6,264

IRLS3034PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 195A D2-PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 162nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10315pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,820

IRLS3034TRL7PP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10990pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 380W (Tc)
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead)
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

庫存30,072

IRLS3034TRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 162nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10315pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存19,920

IRLS3036-7PPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11270pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 380W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead)
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

庫存4,590

IRLS3036PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 195A D2-PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11210pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 380W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,436

IRLS3036TRL7PP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11270pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 380W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead)
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

庫存5,094

IRLS3036TRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11210pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 380W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存23,136

IRLS3036TRRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11210pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 380W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,040

IRLS3813PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.95mOhm @ 148A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 83nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8020pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 195W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,210

IRLS3813TRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.95mOhm @ 148A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 83nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8020pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 195W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,076

IRLS4030-7PPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 190A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11490pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 370W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead)
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

庫存3,960

IRLS4030PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11360pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 370W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,460

IRLS4030TRL7PP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 190A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11490pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 370W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead)
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

庫存6,714

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