晶體管

型號	描述	庫存
IXFA7N100P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarP2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2590pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXFA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,652
IXFA7N60P3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 7A TO-263AA 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, Polar3™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15Ohm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 705pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 180W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXFA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,660
IXFA7N80P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 7A TO-263 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1890pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 200W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXFA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,120
IXFA80N25X3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 83nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5430pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 390W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AA 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,874
IXFA8N50P3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, Polar3™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 705pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 180W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXFA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,192
IXFA8N85XHV IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 850V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 654pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 200W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263HV 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,232
IXFA90N20X3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5420pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 390W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AA 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,092
IXFB100N50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 240nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1890W (Tc) 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存8,658
IXFB100N50Q3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 255nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1560W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存7,704
IXFB110N60P3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, Polar3™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 56mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 245nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1890W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存8,028
IXFB120N50P2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 19000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1890W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存5,112
IXFB132N50P3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, Polar3™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 132A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1890W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存6,372
IXFB150N65X2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 430nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1560W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存4,824
IXFB170N30P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO-264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarP2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 258nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存4,320
IXFB210N20P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarP2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 210A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 255nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存6,876
IXFB210N30P3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, Polar3™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 210A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 268nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1890W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存5,526
IXFB300N10P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarP2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 279nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存7,002
IXFB30N120P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarP2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 310nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存4,914
IXFB30N120Q2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS264™ 包裝/箱: ISOPLUS264™	庫存2,412
IXFB38N100Q2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 890W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存8,190
IXFB40N110P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarP2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 310nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 19000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存2,898
IXFB40N110Q3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1560W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存7,920
IXFB44N100P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarP2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 305nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 19000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存3,312
IXFB44N100Q3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 264nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1560W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存2,844
IXFB50N80Q2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1135W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存6,210
IXFB52N90P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO-264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarP2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 26A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 308nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 19000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存4,194
IXFB60N80P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存7,956
IXFB62N80Q3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 62A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 31A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1560W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存7,002
IXFB70N100X IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET 1KV 70A ULTRA JCT PLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 89mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9160pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1785W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存2,610
IXFB70N60Q2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 88mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 265nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 890W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS264™ 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存44

IXFA7N100P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarP2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2590pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXFA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,652

IXFA7N60P3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7A TO-263AA

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, Polar3™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 705pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 180W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXFA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,660

IXFA7N80P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 7A TO-263

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1890pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXFA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,120

IXFA80N25X3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 83nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5430pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 390W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AA
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,874

IXFA8N50P3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, Polar3™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 705pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 180W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXFA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,192

IXFA8N85XHV

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 850V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 654pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263HV
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,232

IXFA90N20X3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5420pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 390W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AA
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,092

IXFB100N50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 240nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1890W (Tc)
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存8,658

IXFB100N50Q3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 255nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1560W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存7,704

IXFB110N60P3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, Polar3™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 56mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 245nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1890W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存8,028

IXFB120N50P2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 19000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1890W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存5,112

IXFB132N50P3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, Polar3™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 132A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1890W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存6,372

IXFB150N65X2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 430nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1560W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存4,824

IXFB170N30P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarP2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 258nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存4,320

IXFB210N20P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarP2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 210A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 255nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存6,876

IXFB210N30P3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, Polar3™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 210A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 268nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1890W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存5,526

IXFB300N10P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarP2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 279nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存7,002

IXFB30N120P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarP2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 310nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存4,914

IXFB30N120Q2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS264™
包裝/箱: ISOPLUS264™

庫存2,412

IXFB38N100Q2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 890W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存8,190

IXFB40N110P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarP2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 310nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 19000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存2,898

IXFB40N110Q3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1560W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存7,920

IXFB44N100P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarP2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 305nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 19000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存3,312

IXFB44N100Q3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 264nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1560W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存2,844

IXFB50N80Q2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1135W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存6,210

IXFB52N90P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarP2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 308nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 19000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存4,194

IXFB60N80P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存7,956

IXFB62N80Q3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 62A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 31A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1560W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存7,002

IXFB70N100X

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET 1KV 70A ULTRA JCT PLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 89mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9160pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1785W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存2,610

IXFB70N60Q2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 88mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 265nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 890W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS264™
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存44

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