晶體管

2N2222

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

DIE TRANS NPN MED PWR GEN PURP

• 制造商: MICROSS/On Semiconductor
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N2222

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.8A TO-18

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18

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2N2222A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A TO-18

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 150mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18

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2N2222A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN MED PWR GEN PUR (TO-18 CASE)

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18

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2N2222A

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

DIE TRANS NPN MED PWR GEN PURP

• 制造商: MICROSS/On Semiconductor
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N2222A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.8A TO-18

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18

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2N2222A

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.8A TO-18

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18

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2N2222AE3

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

SMALL-SIGNAL BJT

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18

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2N2222AE4

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.8A TO-18

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18

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2N2222AL

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.8A TO-18

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18

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2N2222AUA

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.8A 4PIN SMD

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: 2N2222
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 4-SMD
• 供應商設備包裝: 4-SMD

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2N2222AUA

TT Electronics/Optek Technology

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.8A SMD

• 制造商: TT Electronics/Optek Technology
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 1mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 4-CLCC
• 供應商設備包裝: Ceramic SMD

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2N2222AUATX

TT Electronics/Optek Technology

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.8A SMT

• 制造商: TT Electronics/Optek Technology
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 1mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 4-CLCC
• 供應商設備包裝: 4-CLCC (5.59x3.81)

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2N2222AUATXV

TT Electronics/Optek Technology

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.8A SMT

• 制造商: TT Electronics/Optek Technology
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 1mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 4-CLCC
• 供應商設備包裝: 4-CLCC (5.59x3.81)

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2N2222AUB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.8A 3PIN SMD

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: 2N2222
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-SMD, No Lead
• 供應商設備包裝: 3-SMD

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2N2222AUB

TT Electronics/Optek Technology

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.8A SMD

• 制造商: TT Electronics/Optek Technology
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 15mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 1mA, 10V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-LCC
• 供應商設備包裝: Ceramic SMD

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2N2222AUBTX

TT Electronics/Optek Technology

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.8A SMT

• 制造商: TT Electronics/Optek Technology
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 15mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 1mA, 10V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 4-CLCC
• 供應商設備包裝: 4-CLCC (3.05x2.415)

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2N2222AUBTXV

TT Electronics/Optek Technology

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.8A SMT

• 制造商: TT Electronics/Optek Technology
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 15mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 1mA, 10V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 4-CLCC
• 供應商設備包裝: 4-CLCC (3.05x2.415)

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2N2270

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 1A TO-39

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 900mV @ 15mA, 150mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39

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2N2368

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 400mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: 400MHz
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18

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2N2369

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN MED PWR HS TRANSISTOR

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 360mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18

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2N2369A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 15V 0.2A TO-18

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 400nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 360mW
• 頻率-過渡: 675MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18

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2N2369A

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

DIE TRANS NPN MED PWR HS SWITCH

• 制造商: MICROSS/On Semiconductor
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N2369A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 15V TO18

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 400nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 360mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)

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2N2369A

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 15V 0.2A TO-18

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 400nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 350mV
• 功率-最大: 360mW
• 頻率-過渡: 500MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18

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2N2369AU

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 15V SMD

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 400nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: SMD

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2N2369AUA

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 15V SMD

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 400nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 360mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 4-SMD
• 供應商設備包裝: SMD

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2N2369AUB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 15V SMD

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 400nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 360mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 4-SMD
• 供應商設備包裝: SMD

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2N2405

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 90V 1A TO-39

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 90V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 15mA, 150mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39

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2N2432

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)

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