晶體管

型號	描述	庫存
2N2432A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 10nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 1mA, 5V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)	庫存8,100
2N2432AUB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 BJTS 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 1mA, 5V 功率-最大: 360mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存2,826
2N2432UB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 BJTS 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 1mA, 5V 功率-最大: 360mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存2,646
2N2481 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,472
2N2484 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN LL LN AMP TRANSISTOR 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 100µA, 1mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 2mA, 5V 功率-最大: 360mW 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-18-2 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存7,560
2N2484 MICROSS/On Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 DIE TRANS NPN LOW NOISE 制造商: MICROSS/On Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,502
2N2484 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 0.05A TO-18 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 當前-集電極截止（最大值）: 2nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 225 @ 10mA, 5V 功率-最大: 360mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存7,572
2N2484 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 0.05A TO-18 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 100µA, 1mA 當前-集電極截止（最大值）: 2nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10µA, 5V 功率-最大: 360mW 頻率-過渡: 60MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存16,512
2N2484UA Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 0.05A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 當前-集電極截止（最大值）: 2nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 225 @ 10mA, 5V 功率-最大: 360mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UA	庫存3,186
2N2484UB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 0.05A SMD 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 當前-集電極截止（最大值）: 2nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 225 @ 10mA, 5V 功率-最大: 360mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存7,884
2N2604 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,932
2N2605 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.03A TO-46 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V 功率-最大: 400mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-46-3	庫存5,760
2N2605UB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,906
2N2811 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,266
2N2812 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,318
2N2813 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,292
2N2814 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,304
2N2880 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,600
2N2895 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,554
2N2896 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 BJTS 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 90V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 15mA, 150mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 150mA, 10V 功率-最大: 1.8W 頻率-過渡: 120MHz 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存7,812
2N2904 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP SS GP AMP MED PWR TRANS. 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V 功率-最大: 600mW 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存5,976
2N2904 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,412
2N2904 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V 功率-最大: 3W 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存5,364
2N2904A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,914
2N2904A Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A TO-39 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 150mA, 10V 功率-最大: 600mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存22,548
2N2904AL Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A TO5 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-5	庫存8,208
2N2905 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP SS GP AMP MED PWR TRANS. 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 600mW 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存3,366
2N2905 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 3W 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存6,138
2N2905A STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A TO-39 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 600mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存7,668
2N2905A ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP SS GP AMP MED PWR TRANS. 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 600mW 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存8,820

2N2432A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 10nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 1mA, 5V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)

庫存8,100

2N2432AUB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

BJTS

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 1mA, 5V
功率-最大: 360mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存2,826

2N2432UB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

BJTS

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 1mA, 5V
功率-最大: 360mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存2,646

2N2481

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,472

2N2484

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN LL LN AMP TRANSISTOR

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 2mA, 5V
功率-最大: 360mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-18-2 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存7,560

2N2484

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

DIE TRANS NPN LOW NOISE

制造商: MICROSS/On Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,502

2N2484

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 0.05A TO-18

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止（最大值）: 2nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 225 @ 10mA, 5V
功率-最大: 360mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存7,572

2N2484

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 0.05A TO-18

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止（最大值）: 2nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10µA, 5V
功率-最大: 360mW
頻率-過渡: 60MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存16,512

2N2484UA

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 0.05A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止（最大值）: 2nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 225 @ 10mA, 5V
功率-最大: 360mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UA

庫存3,186

2N2484UB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 0.05A SMD

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止（最大值）: 2nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 225 @ 10mA, 5V
功率-最大: 360mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存7,884

2N2604

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,932

2N2605

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.03A TO-46

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
功率-最大: 400mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-46-3

庫存5,760

2N2605UB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,906

2N2811

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,266

2N2812

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,318

2N2813

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,292

2N2814

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,304

2N2880

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,600

2N2895

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,554

2N2896

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

BJTS

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 90V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 15mA, 150mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 150mA, 10V
功率-最大: 1.8W
頻率-過渡: 120MHz
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存7,812

2N2904

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP SS GP AMP MED PWR TRANS.

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
功率-最大: 600mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存5,976

2N2904

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,412

2N2904

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
功率-最大: 3W
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存5,364

2N2904A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,914

2N2904A

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO-39

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 150mA, 10V
功率-最大: 600mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存22,548

2N2904AL

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO5

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-5

庫存8,208

2N2905

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP SS GP AMP MED PWR TRANS.

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 600mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存3,366

2N2905

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 3W
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存6,138

2N2905A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO-39

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 600mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存7,668

2N2905A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP SS GP AMP MED PWR TRANS.

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 600mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存8,820

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