晶體管

型號	描述	庫存
2N2945A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存282
2N2945AUB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 20V 0.1A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 500mV 功率-最大: 400mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存3,798
2N2946A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 35V 0.1A TO-46 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 1mA, 500mV 功率-最大: 400mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-46-3 供應商設備包裝: TO-46-3	庫存3,060
2N2946AUB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 35V 0.1A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 1mA, 500mV 功率-最大: 400mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存8,604
2N3013 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN HS MED PWR SWITCH 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 30mA, 300mA 當前-集電極截止（最大值）: 300nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 30mA, 400mV 功率-最大: 360mW 頻率-過渡: 350MHz 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存4,410
2N3014 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN HS MED PWR SWITCH 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 300nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 30mA, 400mV 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: 350MHz 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-52-3	庫存3,024
2N3019 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 1A TO-39 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存4,680
2N3019 MICROSS/On Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 DIE TRANS NPN SMALL SIGNAL 80V 制造商: MICROSS/On Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,586
2N3019 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 1A 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存4,824
2N3019 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 1A TO-5 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 500mA, 10V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-5	庫存7,356
2N3019S Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 1A TO-39 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 500mA, 10V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)	庫存5,094
2N3053 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.7A TO-39 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 15mA, 150mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 10V 功率-最大: 5W 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存13,290
2N3053A Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 15mA, 150mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 10V 功率-最大: 5W 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存5,130
2N3055 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 15A TO-3 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 700µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V 功率-最大: 115W 頻率-過渡: - 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: TO-204AA, TO-3 供應商設備包裝: TO-3	庫存4,194
2N3055 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 700µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V 功率-最大: 115W 頻率-過渡: 2.5MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-204AA, TO-3 供應商設備包裝: TO-3	庫存4,536
2N3055AG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 15A TO-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 7A, 15A 當前-集電極截止（最大值）: 700µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 4A, 2V 功率-最大: 115W 頻率-過渡: 6MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-204AA, TO-3 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)	庫存18,720
2N3055G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 15A TO3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 700µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V 功率-最大: 115W 頻率-過渡: 2.5MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-204AA, TO-3 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)	庫存42,186
2N3055H ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 15A TO-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 700µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V 功率-最大: 115W 頻率-過渡: 2.5MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-204AA, TO-3 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)	庫存7,506
2N3055HG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 15A TO-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 700µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V 功率-最大: 115W 頻率-過渡: 2.5MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-204AA, TO-3 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)	庫存5,274
2N3057A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 1A TO-46 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 500mA, 10V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-46-3	庫存7,092
2N3108 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN SS AMP 5W TRANSISTOR 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 10nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA,1V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存3,420
2N3117 MICROSS/On Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 DIE TRANS NPN SMALL SIGNAL 60V 制造商: MICROSS/On Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,328
2N3117 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 0.05A TO-18 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 100µA, 1mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 10µA, 5V 功率-最大: 360mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存13,998
2N3250 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 40V 0.2A TO-18 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 1V 功率-最大: 360mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存20,076
2N3250A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.2A TO18 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 1V 功率-最大: 360mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)	庫存7,488
2N3251A MICROSS/On Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 DIE TRANS PNP SMALL SIGNAL 60V 制造商: MICROSS/On Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,646
2N3251A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.2A TO-39 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V 功率-最大: 360mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)	庫存2,682
2N3251AUB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.2A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V 功率-最大: 360mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存5,256
2N3253 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 75V 500NA TO39 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 75V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 500mA, 1V 功率-最大: - 頻率-過渡: 175MHz 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存5,760
2N327A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,916

2N2945A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存282

2N2945AUB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 20V 0.1A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 500mV
功率-最大: 400mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存3,798

2N2946A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 35V 0.1A TO-46

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 1mA, 500mV
功率-最大: 400mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-46-3
供應商設備包裝: TO-46-3

庫存3,060

2N2946AUB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 35V 0.1A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 1mA, 500mV
功率-最大: 400mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存8,604

2N3013

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN HS MED PWR SWITCH

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 30mA, 300mA
當前-集電極截止（最大值）: 300nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 30mA, 400mV
功率-最大: 360mW
頻率-過渡: 350MHz
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存4,410

2N3014

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN HS MED PWR SWITCH

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 300nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 30mA, 400mV
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: 350MHz
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-52-3

庫存3,024

2N3019

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 1A TO-39

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存4,680

2N3019

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

DIE TRANS NPN SMALL SIGNAL 80V

制造商: MICROSS/On Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,586

2N3019

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 1A

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存4,824

2N3019

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 1A TO-5

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 500mA, 10V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-5

庫存7,356

2N3019S

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 1A TO-39

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 500mA, 10V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

庫存5,094

2N3053

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.7A TO-39

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 15mA, 150mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 10V
功率-最大: 5W
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存13,290

2N3053A

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 10V
功率-最大: 5W
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存5,130

2N3055

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 15A TO-3

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 700µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
功率-最大: 115W
頻率-過渡: -
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝: TO-3

庫存4,194

2N3055

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 700µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
功率-最大: 115W
頻率-過渡: 2.5MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝: TO-3

庫存4,536

2N3055AG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 15A TO-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 7A, 15A
當前-集電極截止（最大值）: 700µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 4A, 2V
功率-最大: 115W
頻率-過渡: 6MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

庫存18,720

2N3055G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 15A TO3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 700µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
功率-最大: 115W
頻率-過渡: 2.5MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

庫存42,186

2N3055H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 15A TO-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 700µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
功率-最大: 115W
頻率-過渡: 2.5MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

庫存7,506

2N3055HG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 15A TO-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 700µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
功率-最大: 115W
頻率-過渡: 2.5MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

庫存5,274

2N3057A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 1A TO-46

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 500mA, 10V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-46-3

庫存7,092

2N3108

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SS AMP 5W TRANSISTOR

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 10nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA,1V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存3,420

2N3117

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

DIE TRANS NPN SMALL SIGNAL 60V

制造商: MICROSS/On Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,328

2N3117

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 0.05A TO-18

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 10µA, 5V
功率-最大: 360mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存13,998

2N3250

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A TO-18

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 1V
功率-最大: 360mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存20,076

2N3250A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.2A TO18

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 1V
功率-最大: 360mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

庫存7,488

2N3251A

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

DIE TRANS PNP SMALL SIGNAL 60V

制造商: MICROSS/On Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,646

2N3251A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.2A TO-39

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
功率-最大: 360mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

庫存2,682

2N3251AUB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.2A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
功率-最大: 360mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存5,256

2N3253

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 75V 500NA TO39

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 75V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 500mA, 1V
功率-最大: -
頻率-過渡: 175MHz
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存5,760

2N327A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,916

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