晶體管

型號	描述	庫存
MMIX1F210N30P3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 108A MMIX 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, Polar3™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 108A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 105A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 24-SMPD 包裝/箱: 24-PowerSMD, 21 Leads	庫存7,146
MMIX1F230N20T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 168A SMPD 制造商: IXYS 系列: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 168A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.3mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 378nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 600W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 24-SMPD 包裝/箱: 24-PowerSMD, 21 Leads	庫存3,132
MMIX1F360N15T2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 235A 制造商: IXYS 系列: GigaMOS™, TrenchT2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 235A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 715nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 47500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 680W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 24-SMPD 包裝/箱: 24-PowerSMD, 21 Leads	庫存7,938
MMIX1F40N110P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarP2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 310nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 19000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 24-SMPD 包裝/箱: 24-PowerSMD, 21 Leads	庫存6,228
MMIX1F420N10T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 334A SMPD 制造商: IXYS 系列: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 334A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 670nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4700pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 680W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 24-SMPD 包裝/箱: 24-PowerSMD, 21 Leads	庫存4,878
MMIX1F44N100Q3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 30A 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 245mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 264nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 694W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 24-SMPD 包裝/箱: 24-PowerSMD, 21 Leads	庫存2,556
MMIX1F520N075T2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 500A 制造商: IXYS 系列: GigaMOS™, TrenchT2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 545nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 41000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 830W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 24-SMPD 包裝/箱: 24-PowerSMD, 21 Leads	庫存22,440
MMIX1T132N50P3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 SMPD HIPERFETS & MOSFETS 制造商: IXYS 系列: Polar™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 63A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 66A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 267nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 520W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Polar3™ 包裝/箱: 24-PowerSMD, 22 Leads	庫存7,632
MMIX1T550N055T2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 550A SMPD 制造商: IXYS 系列: FRFET®, SupreMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 550A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 595nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 830W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 24-SMPD 包裝/箱: 24-PowerSMD, 21 Leads	庫存7,884
MMIX1T600N04T2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 600A SMPD 制造商: IXYS 系列: FRFET®, SupreMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 590nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 830W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 24-SMPD 包裝/箱: 24-PowerSMD, 21 Leads	庫存7,470
MMSF3P02HDR2 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,214
MMSF3P02HDR2G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,748
MMSF3P02HDR2SG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,580
MMSF7P03HDR2 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75.8nC @ 6V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,168
MMSF7P03HDR2G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75.8nC @ 6V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存6,930
MPF960 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 70pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存1,650
MPF990 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 90V 2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 70pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存7,830
MSC015SMA070B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 GEN2 SIC MOSFET 700V 15MOHM TO-2 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 131A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 215nC @ 20V Vgs（最大）: +25V, -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 700V FET功能: - 功耗（最大值）: 400W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,432
MSC015SMA070S Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 GEN2 SIC MOSFET 700V 15MOHM D3PA 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 166A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D3Pak 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	庫存7,542
MSC025SMA120B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM TO- 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 103A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 232nC @ 20V Vgs（最大）: +25V, -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3020pF @ 1000V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,778
MSC025SMA120J Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM SOT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 77A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 232nC @ 20V Vgs（最大）: +25V, -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3020pF @ 1000V FET功能: - 功耗（最大值）: 278W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227 (ISOTOP®) 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存8,982
MSC025SMA120S Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM D3P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D3Pak 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	庫存3,562
MSC040SMA120J Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 GEN2 SIC MOSFET 1200V 40MOHM SOT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 137nC @ 20V Vgs（最大）: +25V, -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1990pF @ 1000V FET功能: - 功耗（最大值）: 208W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227 (ISOTOP®) 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存5,760
MSC080SMA120J Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 GEN2 SIC MOSFET 1200V 80MOHM SOT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227 (ISOTOP®) 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存3,114
MSC090SMA070B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 GEN2 SIC MOSFET 700V 90MOHM TO-2 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,830
MSC090SMA070S Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 GEN2 SIC MOSFET 700V 90MOHM D3PA 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D3Pak 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	庫存6,084
MSC140SMA120B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET 1200V 25A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,176
MSC280SMA120B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 GEN2 SIC MOSFET 1200V 280MOHM TO 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 5A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 20V Vgs（最大）: +25V, -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 1000V FET功能: - 功耗（最大值）: 55W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,266
MSC280SMA120S Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 GEN2 SIC MOSFET 1200V 280MOHM D3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D3Pak 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	庫存2,952
MT8386M5 Alpha & Omega Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,700

MMIX1F210N30P3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 108A MMIX

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, Polar3™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 108A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 105A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 24-SMPD
包裝/箱: 24-PowerSMD, 21 Leads

庫存7,146

MMIX1F230N20T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 168A SMPD

制造商: IXYS
系列: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 168A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.3mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 378nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 600W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 24-SMPD
包裝/箱: 24-PowerSMD, 21 Leads

庫存3,132

MMIX1F360N15T2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 235A

制造商: IXYS
系列: GigaMOS™, TrenchT2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 235A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 715nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 47500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 680W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 24-SMPD
包裝/箱: 24-PowerSMD, 21 Leads

庫存7,938

MMIX1F40N110P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarP2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 310nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 19000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 24-SMPD
包裝/箱: 24-PowerSMD, 21 Leads

庫存6,228

MMIX1F420N10T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 334A SMPD

制造商: IXYS
系列: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 334A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 670nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4700pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 680W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 24-SMPD
包裝/箱: 24-PowerSMD, 21 Leads

庫存4,878

MMIX1F44N100Q3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 30A

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 245mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 264nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 694W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 24-SMPD
包裝/箱: 24-PowerSMD, 21 Leads

庫存2,556

MMIX1F520N075T2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 500A

制造商: IXYS
系列: GigaMOS™, TrenchT2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 545nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 41000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 830W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 24-SMPD
包裝/箱: 24-PowerSMD, 21 Leads

庫存22,440

MMIX1T132N50P3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

SMPD HIPERFETS & MOSFETS

制造商: IXYS
系列: Polar™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 63A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 66A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 267nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 520W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Polar3™
包裝/箱: 24-PowerSMD, 22 Leads

庫存7,632

MMIX1T550N055T2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 550A SMPD

制造商: IXYS
系列: FRFET®, SupreMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 550A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 595nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 830W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 24-SMPD
包裝/箱: 24-PowerSMD, 21 Leads

庫存7,884

MMIX1T600N04T2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 600A SMPD

制造商: IXYS
系列: FRFET®, SupreMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 590nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 830W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 24-SMPD
包裝/箱: 24-PowerSMD, 21 Leads

庫存7,470

MMSF3P02HDR2

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,214

MMSF3P02HDR2G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,748

MMSF3P02HDR2SG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,580

MMSF7P03HDR2

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75.8nC @ 6V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,168

MMSF7P03HDR2G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75.8nC @ 6V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存6,930

MPF960

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 70pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存1,650

MPF990

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 90V 2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 90V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 70pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存7,830

MSC015SMA070B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

GEN2 SIC MOSFET 700V 15MOHM TO-2

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 131A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 215nC @ 20V
Vgs（最大）: +25V, -10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 700V
FET功能: -
功耗（最大值）: 400W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,432

MSC015SMA070S

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

GEN2 SIC MOSFET 700V 15MOHM D3PA

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 166A
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D3Pak
包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

庫存7,542

MSC025SMA120B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM TO-

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 103A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 232nC @ 20V
Vgs（最大）: +25V, -10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3020pF @ 1000V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,778

MSC025SMA120J

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM SOT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 77A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 232nC @ 20V
Vgs（最大）: +25V, -10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3020pF @ 1000V
FET功能: -
功耗（最大值）: 278W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227 (ISOTOP®)
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存8,982

MSC025SMA120S

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM D3P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D3Pak
包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

庫存3,562

MSC040SMA120J

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

GEN2 SIC MOSFET 1200V 40MOHM SOT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 137nC @ 20V
Vgs（最大）: +25V, -10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1990pF @ 1000V
FET功能: -
功耗（最大值）: 208W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227 (ISOTOP®)
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存5,760

MSC080SMA120J

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

GEN2 SIC MOSFET 1200V 80MOHM SOT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227 (ISOTOP®)
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存3,114

MSC090SMA070B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

GEN2 SIC MOSFET 700V 90MOHM TO-2

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,830

MSC090SMA070S

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

GEN2 SIC MOSFET 700V 90MOHM D3PA

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D3Pak
包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

庫存6,084

MSC140SMA120B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET 1200V 25A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,176

MSC280SMA120B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

GEN2 SIC MOSFET 1200V 280MOHM TO

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 5A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 20V
Vgs（最大）: +25V, -10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 1000V
FET功能: -
功耗（最大值）: 55W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,266

MSC280SMA120S

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

GEN2 SIC MOSFET 1200V 280MOHM D3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D3Pak
包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

庫存2,952

MT8386M5

Alpha & Omega Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V

制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,700

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