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晶體管

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頁面 160/2164
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型號
描述
庫存
數量
2N328A
2N328A

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存6,894
2N329A
2N329A

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存4,158
2N333
2N333

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS NPN 45V 10MA TO5

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 供應商設備包裝: TO-5
庫存4,410
2N333A
2N333A

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS NPN 45V 10MA TO5

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 供應商設備包裝: TO-5
庫存3,636
2N333ALT2
2N333ALT2

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存2,016
2N333AT2
2N333AT2

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存3,526
2N333LT2
2N333LT2

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存2,682
2N333T2
2N333T2

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存4,896
2N335
2N335

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS NPN 45V 10MA

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 供應商設備包裝: TO-5
庫存4,950
2N335A
2N335A

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS NPN 45V 10MA

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 供應商設備包裝: TO-5
庫存2,700
2N335ALT2
2N335ALT2

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存2,844
2N335AT2
2N335AT2

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存2,502
2N335LT2
2N335LT2

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存5,202
2N335T2
2N335T2

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存5,022
2N336
2N336

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS NPN 45V 10MA

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 供應商設備包裝: TO-5
庫存5,166
2N336A
2N336A

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS NPN 45V 10MA

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 供應商設備包裝: TO-5
庫存3,186
2N336ALT2
2N336ALT2

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存6,948
2N336AT2
2N336AT2

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存4,860
2N336LT2
2N336LT2

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存2,880
2N336T2
2N336T2

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存2,160
2N3390
2N3390

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS NPN 25V 0.5A TO-92

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 25V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 400 @ 2mA, 4.5V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存7,488
2N3390_D75Z
2N3390_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS NPN 25V 0.5A TO-92

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 25V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 400 @ 2mA, 4.5V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存6,642
2N3391A
2N3391A

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS NPN 25V 0.5A TO-92

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 25V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 250 @ 2mA, 4.5V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存8,550
2N3391A
2N3391A

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS NPN 25V TO-92

  • 制造商: Central Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 25V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 250 @ 2mA, 4.5V
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: 120MHz
  • 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 供應商設備包裝: TO-92
庫存22,278
2N3392
2N3392

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS NPN 25V 0.5A TO-92

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 25V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 150 @ 2mA, 4.5V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存5,616
2N3392
2N3392

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS NPN 25V TO-92

  • 制造商: Central Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 25V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 150 @ 2mA, 4.5V
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: 120MHz
  • 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 供應商設備包裝: TO-92
庫存15,996
2N3393
2N3393

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS NPN 25V 0.5A TO-92

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 25V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 90 @ 2mA, 4.5V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存2,826
2N3393
2N3393

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS NPN 25V TO-92

  • 制造商: Central Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 25V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 90 @ 2mA, 4.5V
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: 120MHz
  • 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 供應商設備包裝: TO-92
庫存18,036
2N3393_D26Z
2N3393_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS NPN 25V 0.5A TO-92

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 25V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 90 @ 2mA, 4.5V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存3,420
2N3415
2N3415

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS NPN 25V 0.5A TO-92

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 25V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 3mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 180 @ 2mA, 4.5V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存6,732