晶體管

PMT760EN,115

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V SC-73

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 900mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 800mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 80V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 800mW (Ta), 6.2W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-223
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

加入購物車更新到購物車

PMT760EN,135

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V SC-73

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 900mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 800mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 80V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 800mW (Ta), 6.2W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-223
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

加入購物車更新到購物車

PMV100ENEAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V TO-236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 460mW (Ta), 4.5W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV100XPEAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 386pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 463mW (Ta), 1.9W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV117EN,215

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 117mOhm @ 500mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 147pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 830mW (Tc)
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV120ENEAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V TO-236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 275pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 513mW (Ta), 6.4W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV130ENEA/DG/B2R

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 20V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 5W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV130ENEAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V SOT23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 20V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 460mW (Ta), 5W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV15ENEAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

PMV15ENEA/SOT23/TO-236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV160UP,215

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.2A TO-236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 1.2A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 365pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 335mW (Ta), 2.17W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV160UPVL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 1.2A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 365pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 335mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV16UN,215

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 5.8A SOT23

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 5.8A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 670pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 510mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV16XNR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V SOT23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.2nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1240pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV170UN,215

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1A TO-236AB

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 1A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.65nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 83pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 325mW (Ta), 1.14W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV185XN,215

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1.1A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.3nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 76pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 325mW (Ta), 1.275W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV20ENR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V SOT23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.8nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV20XN,215

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4.8A SOT23

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 4.8A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 585pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 510mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV20XNEAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V TO-236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 930pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 460mW (Ta), 6.94W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV20XNER

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V SOT23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.6nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1150pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV213SN,215

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 20V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 280mW (Tj)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV22EN,215

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 5.2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 480pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 510mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV230ENEAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V TO-236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 222mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 177pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 480mW (Ta), 1.45W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV250EPEAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V SOT23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 20V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV25ENEAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V TO-236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 597pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 460mW (Ta), 6.94W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV27UPEAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V TO-236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.1nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV27UPER

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4.5A

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.1nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV280ENEAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 580mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV28UN,215

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 3.3A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 270µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 470pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 380mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV28UNEAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V TO-236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 4.7A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

PMV30UN,215

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 2A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 20V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.9W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車