晶體管

PMZ290UNYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET 3DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006-3
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

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PMZ320UPEYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V SOT883

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 122pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006-3
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

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PMZ350UPEYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1A

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 127pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006-3
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

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PMZ350XN,315

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.87A SOT883

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.87A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 200mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.65nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 37pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006-3
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

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PMZ370UNEYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 0.9A

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 900mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.05V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.16nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006-3
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

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PMZ390UN,315

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT883

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.78A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006-3
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

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PMZ390UNEYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 900mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.3nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 41pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006-3
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

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PMZ420UNYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: *
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: -

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PMZ550UNEYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V SOT883

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 590mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30.3pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006-3
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

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PMZ600UNELYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

20 V, N-CHANNEL TRENCH MOSFET

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21.3pF @ 10V
• FET功能: Standard
• 功耗（最大值）: 2.7W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006-3
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

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PMZ600UNEYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 0.6A

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21.3pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006-3
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

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PMZ760SN,315

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 1.22A SOT883

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.22A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.05nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006-3
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

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PMZ950UPELYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

20 V, P-CHANNEL TRENCH MOSFET

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006-3
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

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PMZ950UPEYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 0.5A

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006-3
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

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PMZB1200UPEYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V SOT883

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 410mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43.2pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006B-3
• 包裝/箱: 3-XFDFN

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PMZB150UNEYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V SOT883

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 93pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006B-3
• 包裝/箱: 3-XFDFN

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PMZB200UNEYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V SOT883

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.7nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 89pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006B-3
• 包裝/箱: 3-XFDFN

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PMZB290UN,315

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 83pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006B-3
• 包裝/箱: 3-XFDFN

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PMZB290UNE2YL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 46pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006B-3
• 包裝/箱: 3-XFDFN

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PMZB290UNE,315

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 83pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006B-3
• 包裝/箱: 3-XFDFN

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PMZB300XN,315

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 200mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.94nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 51pF @ 20V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006B-3
• 包裝/箱: 3-XFDFN

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PMZB320UPEYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V SOT883

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 122pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006B-3
• 包裝/箱: 3-XFDFN

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PMZB350UPE,315

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 127pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006B-3
• 包裝/箱: 3-XFDFN

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PMZB370UNE,315

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 900mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.05V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.16nC @ 15V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006B-3
• 包裝/箱: 3-XFDFN

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PMZB380XN,315

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 930mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.87nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006B-3
• 包裝/箱: 3-XFDFN

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PMZB390UNEYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 900mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.3nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 41pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006B-3
• 包裝/箱: 3-XFDFN

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PMZB420UN,315

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 900mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 490mOhm @ 200mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.98nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 65pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006B-3
• 包裝/箱: 3-XFDFN

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PMZB550UNEYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V SOT883

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 590mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30.3pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006B-3
• 包裝/箱: 3-XFDFN

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PMZB600UNELYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21.3pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 360mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006B-3
• 包裝/箱: 3-XFDFN

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PMZB600UNEYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 3QFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21.3pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006B-3
• 包裝/箱: 3-XFDFN

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