晶體管

型號	描述	庫存
PMV30UN2R Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V SOT23 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 655pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 490mW (Ta), 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存401,988
PMV30UN2VL Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 655pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 490mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存8,928
PMV30XN,215 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 380mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,516
PMV30XPEAR Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V TO-236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1465pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 490mW (Ta), 5.435W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存598,338
PMV31XN,215 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 37mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 280mW (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,754
PMV32UP,215 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1890pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 510mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存23,286
PMV32UP/MIR Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1890pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 510mW (Ta), 4.15W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,628
PMV33UPE,215 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 4.4A TO-236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 490mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存45,156
PMV35EPER Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 793pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 480mW (Ta), 1.2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存7,182
PMV37EN,215 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 3.1A SOT-23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 3.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 380mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存4,176
PMV37EN2R Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V SOT23 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 209pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 510mW (Ta), 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存250,104
PMV37ENEAR Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 PMV37ENEA/SOT23/TO-236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 710mW (Ta), 8.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存42,360
PMV40UN,215 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 445pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.9W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,366
PMV40UN2R Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 635pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 490mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存1,782,378
PMV42ENER Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V TO-236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 281pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta), 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存5,292
PMV450ENEAR Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V TO-236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 101pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 323mW (Ta), 554mW (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存7,326
PMV45EN,215 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 280mW (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,340
PMV45EN2R Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V SOT23 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 209pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 510mW (Ta), 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存1,061,622
PMV45EN2VL Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 209pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 510mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存7,920
PMV48XP,215 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 510mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存219,624
PMV48XPAR Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 510mW (Ta), 4.15W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存93,492
PMV48XP/MIR Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V SOT23 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1nF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 510mW (Ta), 4.15W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,348
PMV48XPVL Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 510mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存8,460
PMV50ENEAR Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V TO-236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 276pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 510mW (Ta), 3.9W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,732
PMV50EPEAR Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 793pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 310mW (Ta), 455mW (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存25,176
PMV50UPE,215 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存23,274
PMV50UPEVL Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,732
PMV50XPR Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V SOT23 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 744pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 490mW (Ta), 4.63W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存111,090
PMV55ENEAR Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V TO-236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 646pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 478mW (Ta), 8.36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存5,472
PMV56XN,215 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.76A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 650mV @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 230pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.92W (Tc) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,508

PMV30UN2R

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V SOT23

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 655pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 490mW (Ta), 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存401,988

PMV30UN2VL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 655pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 490mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存8,928

PMV30XN,215

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 380mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,516

PMV30XPEAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V TO-236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1465pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 490mW (Ta), 5.435W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存598,338

PMV31XN,215

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 37mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 280mW (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,754

PMV32UP,215

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1890pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 510mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存23,286

PMV32UP/MIR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1890pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,628

PMV33UPE,215

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4.4A TO-236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 490mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存45,156

PMV35EPER

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 793pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存7,182

PMV37EN,215

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.1A SOT-23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 380mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存4,176

PMV37EN2R

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V SOT23

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 209pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 510mW (Ta), 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存250,104

PMV37ENEAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

PMV37ENEA/SOT23/TO-236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存42,360

PMV40UN,215

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 445pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.9W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,366

PMV40UN2R

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 635pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 490mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存1,782,378

PMV42ENER

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V TO-236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 281pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta), 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存5,292

PMV450ENEAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V TO-236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 101pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 323mW (Ta), 554mW (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存7,326

PMV45EN,215

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 280mW (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,340

PMV45EN2R

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V SOT23

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 209pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 510mW (Ta), 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存1,061,622

PMV45EN2VL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 209pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 510mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存7,920

PMV48XP,215

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 510mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存219,624

PMV48XPAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存93,492

PMV48XP/MIR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V SOT23

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1nF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,348

PMV48XPVL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 510mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存8,460

PMV50ENEAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V TO-236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 276pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,732

PMV50EPEAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 793pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310mW (Ta), 455mW (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存25,176

PMV50UPE,215

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存23,274

PMV50UPEVL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,732

PMV50XPR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V SOT23

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 744pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存111,090

PMV55ENEAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V TO-236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 646pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 478mW (Ta), 8.36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存5,472

PMV56XN,215

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.76A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 650mV @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 230pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.92W (Tc)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,508

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