晶體管

型號	描述	庫存
R6030KNXC7 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 86W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存15,114
R6030KNZ1C9 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 305W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存10,560
R6030KNZC8 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 86W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PF 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存14,676
R6030MNX Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2180pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 90W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,400
R6035ENZ1C9 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 35A TO247 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2720pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 120W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,304
R6035ENZC8 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2720pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 120W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PF 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存9,048
R6035KNZ1C9 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 379W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存9,024
R6035KNZC8 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 102W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PF 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存7,956
R6042JNZ4C13 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 R6042JNZ4 IS A POWER MOSFET WITH 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 104mOhm @ 21A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 7V @ 5.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 15V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3500pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 495W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247G 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,464
R6046ANZ1C9 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 46A TO247 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 120W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存10,236
R6046ANZC8 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 81mOhm @ 23A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 120W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PF 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存7,002
R6046FNZ1C9 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 46A TO247 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 98mOhm @ 23A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6230pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 120W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,100
R6046FNZC8 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 46A TO-3PF 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 93mOhm @ 23A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 120W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PF 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存5,040
R6047ENZ1C9 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 47A TO247 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 25.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3850pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 120W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,576
R6047ENZ4C13 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 600V 47A POWER MOSFET. R604 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 25.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3850pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 481W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,508
R6047KNZ4C13 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 600V 47A POWER MOSFET. R604 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 25.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 481W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,922
R6050JNZ4C13 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 600V 50A POWER MOSFET. R605 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 83mOhm @ 25A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 7V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 15V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 615W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247G 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,914
R6076ENZ1C9 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 76A TO247 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 44.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 120W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,160
R6076ENZ4C13 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 600V 76A POWER MOSFET. R607 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 44.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 735W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,166
R6076KNZ4C13 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 600V 76A POWER MOSFET. R607 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 44.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 735W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,412
R6076MNZ1C9 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 38A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 740W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,956
R6504ENJTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 650V 4A POWER MOSFET. R6504 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 58W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,196
R6504KNJTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 650V 4A POWER MOSFET. R6504 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 58W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,202
R6507ENJTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 650V 7A POWER MOSFET. R6507 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 78W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,704
R6507KNJTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 650V 7A POWER MOSFET. R6507 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 470pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 78W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,940
R6509ENJTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 650V 9A POWER MOSFET. R6509 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 230µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 94W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,406
R6509KNJTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 650V 9A POWER MOSFET. R6509 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 230µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 94W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,884
R6511ENJTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 650V 11A POWER MOSFET. R651 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 320µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 670pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 124W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,942
R6511KNJTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 650V 11A POWER MOSFET. R651 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 320µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 124W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,860
R6515ENJTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 650V 15A POWER MOSFET. R651 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 430µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 910pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 184W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,722

R6030KNXC7

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 86W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存15,114

R6030KNZ1C9

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 305W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存10,560

R6030KNZC8

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 86W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PF
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存14,676

R6030MNX

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2180pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 90W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,400

R6035ENZ1C9

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 35A TO247

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2720pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 120W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,304

R6035ENZC8

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2720pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 120W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PF
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存9,048

R6035KNZ1C9

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 379W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存9,024

R6035KNZC8

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 102W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PF
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存7,956

R6042JNZ4C13

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

R6042JNZ4 IS A POWER MOSFET WITH

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 104mOhm @ 21A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 7V @ 5.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 15V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3500pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 495W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247G
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,464

R6046ANZ1C9

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 46A TO247

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 120W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存10,236

R6046ANZC8

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 81mOhm @ 23A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 120W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PF
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存7,002

R6046FNZ1C9

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 46A TO247

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 98mOhm @ 23A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6230pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 120W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,100

R6046FNZC8

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 46A TO-3PF

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 93mOhm @ 23A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 120W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PF
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存5,040

R6047ENZ1C9

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 47A TO247

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 25.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3850pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 120W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,576

R6047ENZ4C13

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 600V 47A POWER MOSFET. R604

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 25.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3850pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 481W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,508

R6047KNZ4C13

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 600V 47A POWER MOSFET. R604

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 25.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 481W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,922

R6050JNZ4C13

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 600V 50A POWER MOSFET. R605

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 83mOhm @ 25A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 7V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 15V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 615W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247G
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,914

R6076ENZ1C9

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 76A TO247

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 44.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 120W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,160

R6076ENZ4C13

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 600V 76A POWER MOSFET. R607

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 44.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 735W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,166

R6076KNZ4C13

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 600V 76A POWER MOSFET. R607

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 44.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 735W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,412

R6076MNZ1C9

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 38A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 740W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,956

R6504ENJTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 650V 4A POWER MOSFET. R6504

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 58W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,196

R6504KNJTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 650V 4A POWER MOSFET. R6504

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 58W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,202

R6507ENJTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 650V 7A POWER MOSFET. R6507

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 78W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,704

R6507KNJTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 650V 7A POWER MOSFET. R6507

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 470pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 78W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,940

R6509ENJTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 650V 9A POWER MOSFET. R6509

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 230µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 94W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,406

R6509KNJTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 650V 9A POWER MOSFET. R6509

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 230µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 94W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,884

R6511ENJTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 650V 11A POWER MOSFET. R651

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 320µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 670pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 124W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,942

R6511KNJTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 650V 11A POWER MOSFET. R651

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 320µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 124W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,860

R6515ENJTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 650V 15A POWER MOSFET. R651

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 430µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 910pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 184W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,722

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