晶體管

型號	描述	庫存
R6006JND3TL1 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 7V @ 800µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.5nC @ 15V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 86W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,406
R6006JNJGTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 R6006JNJ IS A POWER MOSFET WITH 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 7V @ 800µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.5nC @ 15V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 86W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS (D2PAK) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存20,352
R6006JNXC7G Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 7V @ 800µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.5nC @ 15V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 43W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-2 Full Pack	庫存4,536
R6006KND3TL1 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 70W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,718
R6007END3TL1 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 600V 7A POWER MOSFET. POWER 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 62mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 78W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,826
R6007ENJTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 7A LPT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS (D2PAK) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,204
R6007ENX Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 7A TO220 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,548
R6007JND3TL1 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 R6007JND3 IS A POWER MOSFET WITH 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 780mOhm @ 3.5A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 7V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 15V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 475pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,686
R6007JNJGTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 R6007JNJ IS A POWER MOSFET WITH 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 780mOhm @ 3.5A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 7V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 15V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 475pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS (D2PAK) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,228
R6007JNXC7G Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 R6007JNX IS A POWER MOSFET WITH 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 780mOhm @ 3.5A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 7V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 15V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 475pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 46W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存21,210
R6007KNJTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 470pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 78W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,894
R6007KNX Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 470pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 46W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存9,756
R6008ANX Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存14,280
R6008FNJTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 8A LPTS 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 580pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存13,056
R6008FNX Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 580pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存16,308
R6009END3TL1 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 600V 9A POWER MOSFET. POWER 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 94W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,580
R6009ENJTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 9A LPT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS (D2PAK) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,124
R6009ENX Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 9A TO220 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,256
R6009JND3TL1 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 R6009JND3 IS A POWER MOSFET WITH 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 7V @ 1.38mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 15V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 645pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,496
R6009JNJGTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 R6009JNJ IS A POWER MOSFET WITH 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 7V @ 1.38mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 15V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 645pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS (D2PAK) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,022
R6009JNXC7G Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 R6009JNX IS A POWER MOSFET WITH 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 7V @ 1.38mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 15V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 645pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 53W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存18,864
R6009KNJTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,550
R6009KNX Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 48W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存9,264
R6010ANX Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存15,540
R6011END3TL1 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 600V 11A POWER MOSFET. POWE 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 670pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 124W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,096
R6011ENJTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 11A LPT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 670pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS (D2PAK) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,328
R6011ENX Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 11A TO220 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 670pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,428
R6011KND3TL1 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 600V 11A POWER MOSFET. POWE 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 124W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,366
R6011KNJTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 124W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,552
R6011KNX Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 53W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存11,928

R6006JND3TL1

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 7V @ 800µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.5nC @ 15V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 86W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,406

R6006JNJGTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

R6006JNJ IS A POWER MOSFET WITH

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 7V @ 800µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.5nC @ 15V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 86W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS (D2PAK)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存20,352

R6006JNXC7G

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 7V @ 800µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.5nC @ 15V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 43W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-2 Full Pack

庫存4,536

R6006KND3TL1

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 70W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,718

R6007END3TL1

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 600V 7A POWER MOSFET. POWER

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 62mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 78W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,826

R6007ENJTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7A LPT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS (D2PAK)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,204

R6007ENX

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7A TO220

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,548

R6007JND3TL1

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

R6007JND3 IS A POWER MOSFET WITH

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 780mOhm @ 3.5A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 7V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 15V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 475pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,686

R6007JNJGTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

R6007JNJ IS A POWER MOSFET WITH

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 780mOhm @ 3.5A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 7V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 15V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 475pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS (D2PAK)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,228

R6007JNXC7G

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

R6007JNX IS A POWER MOSFET WITH

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 780mOhm @ 3.5A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 7V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 15V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 475pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 46W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存21,210

R6007KNJTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 470pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 78W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,894

R6007KNX

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 470pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 46W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存9,756

R6008ANX

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存14,280

R6008FNJTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 8A LPTS

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 580pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存13,056

R6008FNX

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 580pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存16,308

R6009END3TL1

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 600V 9A POWER MOSFET. POWER

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 94W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,580

R6009ENJTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 9A LPT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS (D2PAK)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,124

R6009ENX

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 9A TO220

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,256

R6009JND3TL1

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

R6009JND3 IS A POWER MOSFET WITH

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 7V @ 1.38mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 15V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 645pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,496

R6009JNJGTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

R6009JNJ IS A POWER MOSFET WITH

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 7V @ 1.38mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 15V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 645pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS (D2PAK)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,022

R6009JNXC7G

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

R6009JNX IS A POWER MOSFET WITH

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 7V @ 1.38mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 15V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 645pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 53W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存18,864

R6009KNJTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,550

R6009KNX

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 48W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存9,264

R6010ANX

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存15,540

R6011END3TL1

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 600V 11A POWER MOSFET. POWE

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 670pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 124W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,096

R6011ENJTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 11A LPT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 670pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS (D2PAK)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,328

R6011ENX

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 11A TO220

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 670pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,428

R6011KND3TL1

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 600V 11A POWER MOSFET. POWE

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 124W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,366

R6011KNJTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 124W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,552

R6011KNX

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 53W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存11,928

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