晶體管

型號	描述	庫存
SPP80N03S2L05AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 110µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3320pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,100
SPP80N03S2L-06 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.2mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 80µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,160
SPP80N04S2-04 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6980pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,772
SPP80N04S2-H4 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 148nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5890pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,582
SPP80N04S2L-03 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 213nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7930pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,056
SPP80N06S08AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3660pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,570
SPP80N06S08NK Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 240µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3660pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,100
SPP80N06S2-05 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6790pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,538
SPP80N06S2-07 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 180µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4540pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,538
SPP80N06S2-08 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 58A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 215W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,988
SPP80N06S2-09 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.1mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 125µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3140pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 190W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,438
SPP80N06S2-H5 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 230µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 155nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,010
SPP80N06S2L-05 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 230nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,686
SPP80N06S2L-06 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 69A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 180µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5050pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,790
SPP80N06S2L-07 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4210pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 210W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,114
SPP80N06S2L-09 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 52A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 125µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3480pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 190W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,614
SPP80N06S2L-11 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 93µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2650pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 158W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,046
SPP80N06S2L-H5 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 230µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6640pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,212
SPP80N08S2-07 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.4mOhm @ 66A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6130pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,920
SPP80N08S2L-07 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.1mOhm @ 67A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 233nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6820pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,472
SPP80N10L Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 58A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 240nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4540pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,832
SPP80P06PBKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 80A TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 173nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5033pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 340W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,996
SPP80P06PHXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 80A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 173nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5033pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 340W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存13,524
SPS01N60C3 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 11W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存2,934
SPS02N60C3 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 80µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存7,290
SPS02N60C3BKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 LOW POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,762
SPS03N60C3 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 135µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 38W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存3,042
SPS03N60C3BKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 135µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 38W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存4,806
SPS04N60C3BKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存7,974
SPU01N60C3BKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 11W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存6,516

SPP80N03S2L05AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 110µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3320pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,100

SPP80N03S2L-06

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 80µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,160

SPP80N04S2-04

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 80A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6980pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,772

SPP80N04S2-H4

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 80A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 148nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5890pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,582

SPP80N04S2L-03

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 80A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 213nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7930pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,056

SPP80N06S08AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3660pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,570

SPP80N06S08NK

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 240µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3660pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,100

SPP80N06S2-05

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6790pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,538

SPP80N06S2-07

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 180µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4540pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,538

SPP80N06S2-08

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 58A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 215W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,988

SPP80N06S2-09

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 125µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3140pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 190W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,438

SPP80N06S2-H5

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 230µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 155nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,010

SPP80N06S2L-05

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 230nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,686

SPP80N06S2L-06

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 69A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 180µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5050pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,790

SPP80N06S2L-07

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4210pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 210W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,114

SPP80N06S2L-09

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 52A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 125µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3480pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 190W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,614

SPP80N06S2L-11

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 93µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2650pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 158W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,046

SPP80N06S2L-H5

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 230µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6640pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,212

SPP80N08S2-07

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 80A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.4mOhm @ 66A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6130pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,920

SPP80N08S2L-07

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 80A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.1mOhm @ 67A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 233nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6820pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,472

SPP80N10L

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 80A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 58A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 240nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4540pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,832

SPP80P06PBKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 80A TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 173nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5033pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 340W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,996

SPP80P06PHXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 80A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 173nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5033pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 340W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存13,524

SPS01N60C3

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 11W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存2,934

SPS02N60C3

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 80µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存7,290

SPS02N60C3BKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

LOW POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,762

SPS03N60C3

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 135µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 38W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存3,042

SPS03N60C3BKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 135µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 38W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存4,806

SPS04N60C3BKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存7,974

SPU01N60C3BKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 11W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存6,516

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