晶體管

型號	描述	庫存
SQ2351ES-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHAN 20V SOT23 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存156,732
SQ2360EES-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 370pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存8,334
SQ2361AEES-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: - 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,804
SQ2361EES-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 545pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存5,652
SQ2361ES-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: - 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存204,954
SQ2362ES-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存276,804
SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHAN 60V SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,966
SQ2389ES-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHAN 40V SO23 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存154,500
SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 152pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存4,068
SQ3410EV-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8A TSOP-6 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1005pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存8,046
SQ3418AEEV-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 370pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存7,038
SQ3418EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存4,698
SQ3418EV-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 678pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存3,654
SQ3419AEEV-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 975pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存4,284
SQ3419EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1065pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存5,022
SQ3419EV-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.3nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 990pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存2,376
SQ3425EV-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.3nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存28,842
SQ3426AEEV-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存5,616
SQ3426EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存7,200
SQ3426EV-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 720pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存174,072
SQ3427AEEV-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 6TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存233,058
SQ3427EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 82mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1125pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存3,312
SQ3427EV-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 6TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存6,894
SQ3442EV-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 405pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存5,418
SQ3456BEV-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 370pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存3,276
SQ3457EV-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 705pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存838,794
SQ3460EV-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存5,814
SQ3461EV-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存5,670
SQ3469EV-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存4,824
SQ3481EV-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 5.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存27,012

SQ2351ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHAN 20V SOT23

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存156,732

SQ2360EES-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 370pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存8,334

SQ2361AEES-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: -
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,804

SQ2361EES-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 545pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存5,652

SQ2361ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: -
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存204,954

SQ2362ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存276,804

SQ2364EES-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHAN 60V SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,966

SQ2389ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHAN 40V SO23

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存154,500

SQ2398ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 152pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存4,068

SQ3410EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8A TSOP-6

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1005pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存8,046

SQ3418AEEV-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 370pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存7,038

SQ3418EEV-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存4,698

SQ3418EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 678pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存3,654

SQ3419AEEV-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 975pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存4,284

SQ3419EEV-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1065pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存5,022

SQ3419EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.3nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 990pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存2,376

SQ3425EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.3nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存28,842

SQ3426AEEV-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存5,616

SQ3426EEV-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存7,200

SQ3426EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 720pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存174,072

SQ3427AEEV-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 6TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存233,058

SQ3427EEV-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 82mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1125pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存3,312

SQ3427EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 6TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存6,894

SQ3442EV-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 405pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存5,418

SQ3456BEV-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 370pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存3,276

SQ3457EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 705pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存838,794

SQ3460EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存5,814

SQ3461EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存5,670

SQ3469EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存4,824

SQ3481EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存27,012

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