晶體管

型號	描述	庫存
SPU02N60C3BKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 80µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存4,896
SPU02N60S5BKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 80µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存5,400
SPU03N60C3BKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 135µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 38W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存8,676
SPU03N60S5BKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 135µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 38W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存7,992
SPU04N60C3BKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存6,822
SPU04N60S5BKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 580pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存7,776
SPU07N60C3BKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存17,628
SPU07N60S5 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 970pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存2,898
SPU08P06P Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.83A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 6.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 42W (Tc) 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存8,010
SPU09P06PL Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 6.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: P-TO251-3-1 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存5,904
SPU11N10 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 10.5A IPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 7.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 21µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: P-TO251-3-1 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存7,344
SPU18P06P Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 860pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存4,572
SPU30N03S2-08 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 30A IPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 85µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2170pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: P-TO251-3-1 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存3,942
SPU30N03S2L-10 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 30A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 82W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: P-TO251-3-1 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存3,996
SPU30P06P Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 30A IPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1.7mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1535pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存4,410
SPW07N60CFDFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 4.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,706
SPW11N60C3FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 11A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,074
SPW11N60CFDFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 11A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,676
SPW11N60S5FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 11A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,534
SPW11N80C3FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 680µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存12,354
SPW12N50C3FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 560V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,568
SPW15N60C3FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 15A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 675µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1660pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存10,056
SPW15N60CFDFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 750µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 84nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,580
SPW16N50C3FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 560V 16A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 560V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 675µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 66nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 160W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,082
SPW17N80C3A Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 177nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2320pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 227W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,924
SPW17N80C3FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 177nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2320pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 227W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,584
SPW20N60C3E8177FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,732
SPW20N60C3FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 114nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 208W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存51,366
SPW20N60CFDFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 13.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 124nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 208W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,038
SPW20N60S5FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 103nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 208W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,848

SPU02N60C3BKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 80µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存4,896

SPU02N60S5BKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 80µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存5,400

SPU03N60C3BKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 135µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 38W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存8,676

SPU03N60S5BKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 135µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 38W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存7,992

SPU04N60C3BKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存6,822

SPU04N60S5BKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 580pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存7,776

SPU07N60C3BKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存17,628

SPU07N60S5

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 970pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存2,898

SPU08P06P

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.83A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 42W (Tc)
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存8,010

SPU09P06PL

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: P-TO251-3-1
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存5,904

SPU11N10

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 10.5A IPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 21µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: P-TO251-3-1
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存7,344

SPU18P06P

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 860pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存4,572

SPU30N03S2-08

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 30A IPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 85µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2170pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: P-TO251-3-1
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存3,942

SPU30N03S2L-10

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 30A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 82W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: P-TO251-3-1
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存3,996

SPU30P06P

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 30A IPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1.7mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1535pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存4,410

SPW07N60CFDFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,706

SPW11N60C3FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 11A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,074

SPW11N60CFDFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 11A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,676

SPW11N60S5FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 11A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,534

SPW11N80C3FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 680µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存12,354

SPW12N50C3FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 560V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,568

SPW15N60C3FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 15A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 675µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1660pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存10,056

SPW15N60CFDFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 750µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 84nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,580

SPW16N50C3FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 560V 16A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 560V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 675µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 66nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 160W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,082

SPW17N80C3A

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 17A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 177nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2320pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 227W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,924

SPW17N80C3FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 17A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 177nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2320pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 227W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,584

SPW20N60C3E8177FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,732

SPW20N60C3FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 114nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 208W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存51,366

SPW20N60CFDFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 124nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 208W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,038

SPW20N60S5FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 103nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 208W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,848

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