晶體管

型號	描述	庫存
2N5210TAR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 30MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,168
2N5210TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 30MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,616
2N5210TFR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 30MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,122
2N5224 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN LO LEVEL SWITCH TRANS TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 3mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,122
2N5226 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP AMP TRANS./2N5225 COMPLIMENT 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 800mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,480
2N5232A Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 125mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 30nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存32,748
2N5237 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,606
2N5238 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,004
2N5238S Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,280
2N5240 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,114
2N5241 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,544
2N5301 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,732
2N5301 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 30A TO-3 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: 200W 頻率-過渡: 4MHz 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-204AA, TO-3 供應商設備包裝: TO-3	庫存14,772
2N5302 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,232
2N5302G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 30A TO3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 6A, 30A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 15A, 2V 功率-最大: 200W 頻率-過渡: 2MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-204AA, TO-3 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)	庫存6,996
2N5303 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,778
2N5303 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 20A TO-3 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: 200W 頻率-過渡: 2MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-204AA, TO-3 供應商設備包裝: TO-3	庫存6,792
2N5306 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 7000 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,974
2N5306 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO-92 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 7000 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 60MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存38,166
2N5306_D74Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 7000 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,654
2N5307 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,724
2N5307_D74Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,624
2N5308 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 7000 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存256,064
2N5308 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 40V 0.3A TO-92 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 7000 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 60MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存259,670
2N5308_D26Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 7000 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,030
2N5308_D27Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 7000 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,974
2N5308_D74Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 7000 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,088
2N5308_D75Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 7000 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,028
2N5320 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN 10W TRANS./2N5322 COMPLIMENT 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 75V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 4V 功率-最大: 10W 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存6,282
2N5320 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 75V 2A TO-39 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 75V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 4V 功率-最大: 10W 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存8,268

2N5210TAR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 30MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,168

2N5210TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 30MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,616

2N5210TFR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 30MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,122

2N5224

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN LO LEVEL SWITCH TRANS TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 3mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,122

2N5226

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP AMP TRANS./2N5225 COMPLIMENT

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 800mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,480

2N5232A

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.1A TO-92

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 125mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 30nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存32,748

2N5237

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,606

2N5238

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,004

2N5238S

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,280

2N5240

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,114

2N5241

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,544

2N5301

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,732

2N5301

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 30A TO-3

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: 200W
頻率-過渡: 4MHz
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝: TO-3

庫存14,772

2N5302

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,232

2N5302G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 30A TO3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 6A, 30A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 15A, 2V
功率-最大: 200W
頻率-過渡: 2MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

庫存6,996

2N5303

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,778

2N5303

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 20A TO-3

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: 200W
頻率-過渡: 2MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝: TO-3

庫存6,792

2N5306

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 7000 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,974

2N5306

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO-92

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 7000 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 60MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存38,166

2N5306_D74Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 7000 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,654

2N5307

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,724

2N5307_D74Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,624

2N5308

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 7000 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存256,064

2N5308

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 40V 0.3A TO-92

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 7000 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 60MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存259,670

2N5308_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 7000 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,030

2N5308_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 7000 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,974

2N5308_D74Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 7000 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,088

2N5308_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 7000 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,028

2N5320

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN 10W TRANS./2N5322 COMPLIMENT

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 75V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 4V
功率-最大: 10W
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存6,282

2N5320

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 75V 2A TO-39

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 75V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 4V
功率-最大: 10W
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存8,268

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