晶體管

型號	描述	庫存
STW40N65M2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 32A TO247 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ M2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2355pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,204
STW40N90K5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 N-CHANNEL 900 V, 0.110 OHM TYP., 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ K5 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3260pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 446W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,358
STW40N95DK5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ DK5 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 950V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3480pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 450W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,544
STW40N95K5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 950V 38A TO247 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ K5 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 950V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 93nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3300pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 450W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存18,807
STW40NF20 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 40A TO-247 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 160W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存12,540
STW42N60M2-EP STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 34A EP TO247 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ M2-EP FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.75V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2370pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存18,648
STW42N65M5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 33A TO-247 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ V FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4650pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 190W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存18,636
STW43N60DM2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 34A 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ DM2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,964
STW43NM50N STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 37A TO-247 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 18.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 255W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,804
STW43NM60N STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 35A TO-247 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 88mOhm @ 17.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 255W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,706
STW43NM60ND STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 35A TO-247 制造商: STMicroelectronics 系列: FDmesh™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 88mOhm @ 17.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 255W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,568
STW45N60DM2AG STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 34A 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存17,112
STW45N60DM6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ DM6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.75V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1920pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 210W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,958
STW45N65M5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 35A TO247 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ V FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3375pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 210W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存16,500
STW45NM50 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 45A TO-247 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 22.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 417W (Tc) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,964
STW45NM50FD STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 45A TO-247 制造商: STMicroelectronics 系列: FDmesh™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 22.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 417W (Tc) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,140
STW45NM60 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 45A TO-247 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 22.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 134nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 417W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,344
STW46NF30 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 42A TO247 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存16,020
STW47NM60ND STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 35A TO-247 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 88mOhm @ 17.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 255W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存12,732
STW48N60DM2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 40A 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ DM2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 79mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3250pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存9,252
STW48N60M2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 42A TO-247 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ M2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3060pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,824
STW48N60M2-4 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ M2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3060pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-4L 包裝/箱: TO-247-4	庫存16,632
STW48NM60N STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 39A TO-247 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 124nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4285pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 330W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存10,716
STW4N150 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247 制造商: STMicroelectronics 系列: PowerMESH™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 160W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存21,810
STW50N65DM2AG STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 28A 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 87mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3200pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存14,898
STW50NB20 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 50A TO-247 制造商: STMicroelectronics 系列: PowerMESH™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 280W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,086
STW52NK25Z STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 52A TO-247 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 26A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4850pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,840
STW54NK30Z STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 54A TO-247 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 27A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 221nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4960pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,282
STW54NM65ND STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 59A TO-247 制造商: STMicroelectronics 系列: FDmesh™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 49A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 24.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 188nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6200pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 350W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,734
STW55NM50N STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 54A TO-247 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 54mOhm @ 27A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5800pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 350W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,220

STW40N65M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 32A TO247

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ M2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2355pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,204

STW40N90K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL 900 V, 0.110 OHM TYP.,

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ K5
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3260pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 446W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,358

STW40N95DK5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ DK5
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 950V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3480pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 450W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,544

STW40N95K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 950V 38A TO247

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ K5
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 950V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3300pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 450W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存18,807

STW40NF20

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 40A TO-247

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 160W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存12,540

STW42N60M2-EP

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 34A EP TO247

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ M2-EP
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.75V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2370pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存18,648

STW42N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 33A TO-247

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ V
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4650pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 190W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存18,636

STW43N60DM2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 34A

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ DM2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,964

STW43NM50N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 255W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,804

STW43NM60N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 35A TO-247

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 88mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 255W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,706

STW43NM60ND

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 35A TO-247

制造商: STMicroelectronics
系列: FDmesh™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 88mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 255W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,568

STW45N60DM2AG

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 34A

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存17,112

STW45N60DM6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ DM6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.75V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1920pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 210W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,958

STW45N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 35A TO247

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ V
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3375pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 210W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存16,500

STW45NM50

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 45A TO-247

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 417W (Tc)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,964

STW45NM50FD

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 45A TO-247

制造商: STMicroelectronics
系列: FDmesh™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 417W (Tc)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,140

STW45NM60

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 45A TO-247

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 134nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 417W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,344

STW46NF30

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 42A TO247

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存16,020

STW47NM60ND

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 35A TO-247

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 88mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 255W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存12,732

STW48N60DM2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 40A

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ DM2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 79mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3250pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存9,252

STW48N60M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 42A TO-247

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ M2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3060pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,824

STW48N60M2-4

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ M2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3060pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-4L
包裝/箱: TO-247-4

庫存16,632

STW48NM60N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 39A TO-247

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 124nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4285pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 330W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存10,716

STW4N150

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247

制造商: STMicroelectronics
系列: PowerMESH™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 160W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存21,810

STW50N65DM2AG

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 28A

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 87mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3200pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存14,898

STW50NB20

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 50A TO-247

制造商: STMicroelectronics
系列: PowerMESH™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 280W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,086

STW52NK25Z

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 52A TO-247

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4850pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,840

STW54NK30Z

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 54A TO-247

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 27A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 221nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4960pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,282

STW54NM65ND

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 59A TO-247

制造商: STMicroelectronics
系列: FDmesh™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 49A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 188nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6200pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 350W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,734

STW55NM50N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 54A TO-247

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 54mOhm @ 27A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5800pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 350W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,220

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