晶體管

TK5Q65W,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 170µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 60W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: I-PAK
• 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

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TK60D08J1(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 60A TO220W

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8mOhm @ 30A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5450pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 140W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220(W)
• 包裝/箱: TO-220-3

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TK60E08K3,S1X(S

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 60A TO-220AB

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 128W
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220-3
• 包裝/箱: TO-220-3

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TK60P03M1,RQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 60A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.4mOhm @ 30A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 500µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 63W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK60S06K3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2900pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 88W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK+
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK62J60W,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 61.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 30.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 3.1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 300V
• FET功能: Super Junction
• 功耗（最大值）: 400W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-3P(N)
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

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TK62N60W,S1VF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 61.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 30.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 3.1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 300V
• FET功能: Super Junction
• 功耗（最大值）: 400W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-247
• 包裝/箱: TO-247-3

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TK62N60X,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 61.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3.1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 135nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 300V
• FET功能: Super Junction
• 功耗（最大值）: 400W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-247
• 包裝/箱: TO-247-3

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TK650A60F,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIX
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1.16mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1320pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: 150°C
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK65A10N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 65A TO-220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5400pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK65E10N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 100V 148A TO220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 148A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5400pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 192W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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TK65G10N1,RQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 32.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5400pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 156W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D2PAK
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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TK65S04K3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 32.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 88W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK+
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK65S04N1L,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 65A DPAK

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 300µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2550pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 107W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK+
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK6A45DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 5.5A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.35Ohm @ 2.8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK6A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 6A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK6A53D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 525V 6A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 525V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK6A55DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 5.5A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.48Ohm @ 2.8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK6A60D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK6A60W,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 3.1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 310µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 300V
• FET功能: Super Junction
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK6A65D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK6A65W,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 2.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 180µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK6A80E,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V TO220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVIII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 600µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK6P53D(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 525V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 100W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D-Pak
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK6P60W,RVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 310µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 300V
• FET功能: Super Junction
• 功耗（最大值）: 60W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK6P65W,RQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 180µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 60W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK6Q60W,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 310µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 300V
• FET功能: Super Junction
• 功耗（最大值）: 60W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: I-PAK
• 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

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TK6Q65W,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 180µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 60W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: I-PAK
• 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

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TK6R7P06PL,RQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIX-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 300µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1990pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 66W (Tc)
• 工作溫度: 175°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK70D06J1(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 70A TO220W

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.4mOhm @ 35A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5450pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220(W)
• 包裝/箱: TO-220-3

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