晶體管

TK3R1P04PL,RQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIX-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 29A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 500µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4670pF @ 20V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 87W (Tc)
• 工作溫度: 175°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK40A06N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.4mOhm @ 20A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 300µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK40A10N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 40A TO-220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 500µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK40E06N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 60V 40A TO-220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.4mOhm @ 20A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 300µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 67W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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TK40E10K3,S1X(S

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 84nC @ 10V
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220-3
• 包裝/箱: TO-220-3

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TK40E10N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 100V 90A TO220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 500µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 126W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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TK40P03M1(T6RDS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1150pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK40P03M1(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1150pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DP
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK40P04M1(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 200µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1920pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 47W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DP
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK40S10K3Z(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 40A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 61nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3110pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 93W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK+
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK42A12N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 120V 42A TO-220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 120V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.4mOhm @ 21A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 60V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK42E12N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 120V 88A TO-220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 120V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 88A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.4mOhm @ 21A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 60V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 140W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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TK45P03M1,RQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 45A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.7mOhm @ 22.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 200µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK46A08N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 46A TO-220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 23A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 500µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 40V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK46E08N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 80A TO-220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 23A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 500µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 40V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 103W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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TK4A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK4A53D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 525V 4A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 525V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7Ohm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK4A55DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 3.5A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.45Ohm @ 1.8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK4A55D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 4A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.88Ohm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK4A60DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK4A60DB(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK4A60D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7Ohm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK4A65DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 3.5A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9Ohm @ 1.8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK4P50D(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 80W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D-Pak
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK4P55DA(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.45Ohm @ 1.8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 80W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D-Pak
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK4P55D(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.88Ohm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 80W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D-Pak
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK4P60DA(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 80W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D-Pak
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK4P60DB(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 80W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D-Pak
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK4R3A06PL,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIX-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 68A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 500µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48.2nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3280pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 36W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK4R3E06PL,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIX-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 500µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48.2nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3280pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 87W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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