晶體管

型號	描述	庫存
TN5325K1-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V SOT23-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,426
TN5325N3-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 215mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 740mW (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存15,300
TN5325N3-G-P002 Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 215mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 740mW (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存4,590
TN5325N8-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 0.316A SOT89-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 316mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89) 包裝/箱: TO-243AA	庫存2,844
TN5335K1-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 350V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,898
TN5335N8-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 350V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89) 包裝/箱: TO-243AA	庫存21,540
TP0101K-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 0.58A SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 580mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 350mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存8,010
TP0202K-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 385mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 31pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 350mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,300
TP0202K-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 385mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 31pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 350mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,340
TP0604N3-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 430mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 740mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存19,200
TP0606N3-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存20,892
TP0606N3-G-P002 Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存2,808
TP0606N3-G-P003 Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存4,770
TP0610KL-TR1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 270mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3nC @ 15V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 800mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-226AA 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	庫存4,086
TP0610K-T1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 185mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.7nC @ 15V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 350mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存5,886
TP0610K-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 185mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.7nC @ 15V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 350mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存643,050
TP0610K-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 185MA TO-236 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 185mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.7nC @ 15V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 350mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存666,246
TP0610T-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 0.12A SOT23-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 200mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存24,180
TP0620N3-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 175mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存16,140
TP2104K1-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 0.16A SOT23-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,844
TP2104N3-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 175mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 740mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存15,024
TP2104N3-G-P003 Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 175mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 740mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存6,570
TP2424N8-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 240V 0.316A SOT89-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 240V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 316mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89) 包裝/箱: TO-243AA	庫存5,058
TP2435N8-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 350V 0.231A SOT89-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 350V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 231mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89) 包裝/箱: TO-243AA	庫存3,276
TP2502N8-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT89-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 125pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89) 包裝/箱: TO-243AA	庫存4,698
TP2510N8-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 0.48A SOT89-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 480mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 125pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89) 包裝/箱: TO-243AA	庫存3,472
TP2520N8-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 0.26A SOT89-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 125pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89) 包裝/箱: TO-243AA	庫存5,814
TP2522N8-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 220V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 125pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89) 包裝/箱: TO-243AA	庫存3,472
TP2535N3-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 350V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 125pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 740mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存21,408
TP2540N3-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 125pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 740mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存8,292

TN5325K1-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V SOT23-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,426

TN5325N3-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 215mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 740mW (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存15,300

TN5325N3-G-P002

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 215mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 740mW (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存4,590

TN5325N8-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 0.316A SOT89-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 316mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89)
包裝/箱: TO-243AA

庫存2,844

TN5335K1-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 350V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,898

TN5335N8-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 350V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89)
包裝/箱: TO-243AA

庫存21,540

TP0101K-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 0.58A SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 350mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存8,010

TP0202K-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 385mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 31pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 350mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,300

TP0202K-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 385mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 31pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 350mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,340

TP0604N3-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 430mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 740mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存19,200

TP0606N3-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存20,892

TP0606N3-G-P002

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存2,808

TP0606N3-G-P003

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存4,770

TP0610KL-TR1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 270mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3nC @ 15V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 800mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-226AA
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

庫存4,086

TP0610K-T1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 185mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.7nC @ 15V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 350mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存5,886

TP0610K-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 185mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.7nC @ 15V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 350mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存643,050

TP0610K-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 185MA TO-236

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 185mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.7nC @ 15V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 350mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存666,246

TP0610T-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 0.12A SOT23-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存24,180

TP0620N3-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 175mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存16,140

TP2104K1-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 0.16A SOT23-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,844

TP2104N3-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 175mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 740mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存15,024

TP2104N3-G-P003

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 175mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 740mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存6,570

TP2424N8-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 240V 0.316A SOT89-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 240V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 316mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89)
包裝/箱: TO-243AA

庫存5,058

TP2435N8-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 350V 0.231A SOT89-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 350V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 231mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89)
包裝/箱: TO-243AA

庫存3,276

TP2502N8-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT89-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 125pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89)
包裝/箱: TO-243AA

庫存4,698

TP2510N8-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 0.48A SOT89-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 480mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 125pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89)
包裝/箱: TO-243AA

庫存3,472

TP2520N8-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 0.26A SOT89-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 125pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89)
包裝/箱: TO-243AA

庫存5,814

TP2522N8-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 220V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 125pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89)
包裝/箱: TO-243AA

庫存3,472

TP2535N3-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 350V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 125pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 740mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存21,408

TP2540N3-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 125pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 740mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存8,292

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