晶體管

型號	描述	庫存
APTGF90DA60CT1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 416W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存6,606
APTGF90DA60D1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 130A 445W D1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A 功率-最大: 445W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D1 供應商設備包裝: D1	庫存6,498
APTGF90DA60T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 110A 416W SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 416W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 90A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存5,796
APTGF90DA60TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 110A 416W SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 416W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 90A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存5,238
APTGF90DH60T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT NPT BRIDGE 600V 110A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Asymmetrical Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 416W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存4,770
APTGF90DH60TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Asymmetrical Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 416W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 90A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存8,442
APTGF90DU60TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT DUAL SOURCE SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Dual, Common Source 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 416W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 90A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存7,560
APTGF90H60T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A 功率-最大: 416W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.4nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存8,964
APTGF90H60TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 416W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 90A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存4,428
APTGF90SK60D1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 130A 445W D1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A 功率-最大: 445W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D1 供應商設備包裝: D1	庫存8,712
APTGF90SK60T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 110A 416W SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 416W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 90A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存5,400
APTGF90SK60TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 110A 416W SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 416W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 90A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存2,250
APTGF90TA60PG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT TRPL PHASE SP6P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Three Phase 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 416W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 90A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存3,114
APTGF90TDU60PG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT TRPLE DUAL SP6P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Triple, Dual - Common Source 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 416W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 90A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存4,788
APTGFQ25H120T2G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 40A 227W MODULE 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT and Fieldstop 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 功率-最大: 227W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 25A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.02nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SP2 供應商設備包裝: SP2	庫存4,104
APTGL120TA120TPG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT4 PHASE LEG 1200V 140A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Three Phase 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A 功率-最大: 517W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.15V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存2,682
APTGL120TDU120TPG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT 1200V 140A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Triple, Dual - Common Source 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A 功率-最大: 517W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.15V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP6-P	庫存3,600
APTGL180A1202G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 220A 功率-最大: 750W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 150A 當前-集電極截止（最大值）: 300µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 9.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP2 供應商設備包裝: SP2	庫存7,848
APTGL180A120T3AG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT ARRAY 1200V 230A 940W SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 230A 功率-最大: 940W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 150A 當前-集電極截止（最大值）: 300µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 9.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存6,264
APTGL240TL120G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT4 3LVL INVERT SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Three Level Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 305A 功率-最大: 1000W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 200A 當前-集電極截止（最大值）: 2mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 12.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存238
APTGL325A120D3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT4 PHASE LEG 1200V 420A D3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 420A 功率-最大: 1500W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 300A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 18.6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D-3 Module 供應商設備包裝: D3	庫存3,438
APTGL325DA120D3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 420A 1500W D3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 420A 功率-最大: 1500W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 300A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 18.6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D-3 Module 供應商設備包裝: D3	庫存4,284
APTGL325SK120D3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 420A 1500W D3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 420A 功率-最大: 1500W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 300A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 18.6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D-3 Module 供應商設備包裝: D3	庫存7,722
APTGL40H120T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT 1200V 65A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A 功率-最大: 220W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 35A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.95nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存4,284
APTGL40X120T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT 1200V 65A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Three Phase Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A 功率-最大: 220W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 35A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.95nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存4,878
APTGL475A120D3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT4 PHASE LEG D3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 610A 功率-最大: 2080W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 400A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 24.6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D-3 Module 供應商設備包裝: D3	庫存7,362
APTGL475DA120D3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 610A 2080W D3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 610A 功率-最大: 2080W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 400A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 24.6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D-3 Module 供應商設備包裝: D3	庫存8,154
APTGL475SK120D3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 610A 2080W D3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 610A 功率-最大: 2080W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 400A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 24.6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D-3 Module 供應商設備包裝: D3	庫存3,240
APTGL475U120D4G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT4 SGL SWITCH 1200V 610A D4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 610A 功率-最大: 2082W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 400A 當前-集電極截止（最大值）: 4mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 24.6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D4 供應商設備包裝: D4	庫存7,722
APTGL475U120DAG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 610A 功率-最大: 2307W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 400A 當前-集電極截止（最大值）: 4mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 24.6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存1

APTGF90DA60CT1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 416W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存6,606

APTGF90DA60D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 130A 445W D1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A
功率-最大: 445W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D1
供應商設備包裝: D1

庫存6,498

APTGF90DA60T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 110A 416W SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 416W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 90A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存5,796

APTGF90DA60TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 110A 416W SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 416W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 90A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存5,238

APTGF90DH60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT NPT BRIDGE 600V 110A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Asymmetrical Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 416W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存4,770

APTGF90DH60TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Asymmetrical Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 416W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 90A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存8,442

APTGF90DU60TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT DUAL SOURCE SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Dual, Common Source
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 416W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 90A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存7,560

APTGF90H60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
功率-最大: 416W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.4nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存8,964

APTGF90H60TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 416W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 90A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存4,428

APTGF90SK60D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 130A 445W D1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A
功率-最大: 445W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D1
供應商設備包裝: D1

庫存8,712

APTGF90SK60T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 110A 416W SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 416W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 90A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存5,400

APTGF90SK60TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 110A 416W SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 416W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 90A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存2,250

APTGF90TA60PG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT TRPL PHASE SP6P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Three Phase
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 416W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 90A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存3,114

APTGF90TDU60PG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT TRPLE DUAL SP6P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Triple, Dual - Common Source
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 416W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 90A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存4,788

APTGFQ25H120T2G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 40A 227W MODULE

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT and Fieldstop
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
功率-最大: 227W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 25A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.02nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SP2
供應商設備包裝: SP2

庫存4,104

APTGL120TA120TPG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT4 PHASE LEG 1200V 140A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Three Phase
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A
功率-最大: 517W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.15V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存2,682

APTGL120TDU120TPG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 1200V 140A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Triple, Dual - Common Source
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A
功率-最大: 517W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.15V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP6-P

庫存3,600

APTGL180A1202G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 220A
功率-最大: 750W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 150A
當前-集電極截止（最大值）: 300µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 9.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP2
供應商設備包裝: SP2

庫存7,848

APTGL180A120T3AG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT ARRAY 1200V 230A 940W SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 230A
功率-最大: 940W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 150A
當前-集電極截止（最大值）: 300µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 9.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存6,264

APTGL240TL120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT4 3LVL INVERT SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Three Level Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 305A
功率-最大: 1000W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 200A
當前-集電極截止（最大值）: 2mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 12.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存238

APTGL325A120D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT4 PHASE LEG 1200V 420A D3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 420A
功率-最大: 1500W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 300A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 18.6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D-3 Module
供應商設備包裝: D3

庫存3,438

APTGL325DA120D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 420A 1500W D3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 420A
功率-最大: 1500W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 300A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 18.6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D-3 Module
供應商設備包裝: D3

庫存4,284

APTGL325SK120D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 420A 1500W D3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 420A
功率-最大: 1500W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 300A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 18.6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D-3 Module
供應商設備包裝: D3

庫存7,722

APTGL40H120T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 1200V 65A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A
功率-最大: 220W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 35A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 1.95nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存4,284

APTGL40X120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 1200V 65A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A
功率-最大: 220W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 35A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 1.95nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存4,878

APTGL475A120D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT4 PHASE LEG D3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 610A
功率-最大: 2080W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 400A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 24.6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D-3 Module
供應商設備包裝: D3

庫存7,362

APTGL475DA120D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 610A 2080W D3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 610A
功率-最大: 2080W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 400A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 24.6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D-3 Module
供應商設備包裝: D3

庫存8,154

APTGL475SK120D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 610A 2080W D3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 610A
功率-最大: 2080W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 400A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 24.6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D-3 Module
供應商設備包裝: D3

庫存3,240

APTGL475U120D4G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT4 SGL SWITCH 1200V 610A D4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 610A
功率-最大: 2082W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 400A
當前-集電極截止（最大值）: 4mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 24.6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D4
供應商設備包裝: D4

庫存7,722

APTGL475U120DAG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 610A
功率-最大: 2307W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 400A
當前-集電極截止（最大值）: 4mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 24.6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存1

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