晶體管

型號	描述	庫存
APTGLQ300SK120G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Buck Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500A 功率-最大: 1500W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.42V @ 15V, 300A 當前-集電極截止（最大值）: 200µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 17.6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP6	庫存8,280
APTGLQ30H65T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 功率-最大: 95W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 30A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.9nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: -	庫存3,780
APTGLQ400A120T6G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 PWR MOD IGBT4 1200V 700A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700A 功率-最大: 1900W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 400A 當前-集電極截止（最大值）: 200µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 24.6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存6,138
APTGLQ40DDA120CT3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 PWR MOD IGBT4 1200V 700A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Dual Boost Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 40A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存8,604
APTGLQ40H120T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 PWR MOD IGBT4 1200V 75A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 40A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存7,164
APTGLQ40HR120CT3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 40A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存8,190
APTGLQ50DDA65T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Dual Boost Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A 功率-最大: 175W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.1nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: -	庫存7,524
APTGLQ50H65T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A 功率-最大: 175W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.1nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP1	庫存4,194
APTGLQ50H65T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A 功率-最大: 175W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.1nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP3F	庫存2,430
APTGLQ50TL65T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Three Level Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A 功率-最大: 175W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.1nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP3F	庫存7,506
APTGLQ50VDA65T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Dual Boost Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A 功率-最大: 175W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.1nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP3F	庫存2,772
APTGLQ600A65T6G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 PWR MOD IGBT4 650V 1200A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1200A 功率-最大: 2000W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 600A 當前-集電極截止（最大值）: 600µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 36.6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存5,526
APTGLQ75H120T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 PWR MOD IGBT4 1200V 130A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A 功率-最大: 385W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.4nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存3,582
APTGLQ75H120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A 功率-最大: 385W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.4nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP4	庫存3,240
APTGLQ75H65T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 PWR MOD IGBT4 650V 150A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存8,640
APTGLQ80HR120CT3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A 功率-最大: 500W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 80A 當前-集電極截止（最大值）: 150µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存7,704
APTGT100A1202G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT 1200V 140A SP2 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A 功率-最大: 480W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 7.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SP2 供應商設備包裝: SP2	庫存3,526
APTGT100A120D1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A 功率-最大: 520W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 3mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 7nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D1 供應商設備包裝: D1	庫存3,852
APTGT100A120T3AG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT 1200V 140A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A 功率-最大: 595W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 7.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存5,346
APTGT100A120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A 功率-最大: 480W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 7.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存5,706
APTGT100A170D1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A 功率-最大: 695W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 3mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 8.5nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D1 供應商設備包裝: D1	庫存2,538
APTGT100A170TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A 功率-最大: 560W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 9nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存3,348
APTGT100A602G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT 600V 150A SP2 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A 功率-最大: 340W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SP2 供應商設備包裝: SP2	庫存7,218
APTGT100A60T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A 功率-最大: 340W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存5,220
APTGT100A60TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A 功率-最大: 340W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存2,916
APTGT100BB60T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT3 BOOST BUCK SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A 功率-最大: 340W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存2,142
APTGT100DA120D1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 150A 520W D1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A 功率-最大: 520W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 3mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 7nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D1 供應商設備包裝: D1	庫存4,158
APTGT100DA120T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 140A 480W SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A 功率-最大: 480W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 7.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存3,420
APTGT100DA120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 140A 480W SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A 功率-最大: 480W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 7.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存3,744
APTGT100DA170D1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1700V 200A 695W D1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A 功率-最大: 695W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 3mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 8.5nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D1 供應商設備包裝: D1	庫存7,632

APTGLQ300SK120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Buck Chopper
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500A
功率-最大: 1500W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.42V @ 15V, 300A
當前-集電極截止（最大值）: 200µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 17.6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP6

庫存8,280

APTGLQ30H65T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
功率-最大: 95W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 30A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 1.9nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: -

庫存3,780

APTGLQ400A120T6G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

PWR MOD IGBT4 1200V 700A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 700A
功率-最大: 1900W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 400A
當前-集電極截止（最大值）: 200µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 24.6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存6,138

APTGLQ40DDA120CT3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

PWR MOD IGBT4 1200V 700A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Dual Boost Chopper
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 40A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存8,604

APTGLQ40H120T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

PWR MOD IGBT4 1200V 75A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 40A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存7,164

APTGLQ40HR120CT3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 40A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存8,190

APTGLQ50DDA65T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Dual Boost Chopper
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
功率-最大: 175W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.1nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: -

庫存7,524

APTGLQ50H65T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
功率-最大: 175W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.1nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP1

庫存4,194

APTGLQ50H65T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
功率-最大: 175W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.1nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP3F

庫存2,430

APTGLQ50TL65T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Three Level Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
功率-最大: 175W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.1nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP3F

庫存7,506

APTGLQ50VDA65T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Dual Boost Chopper
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
功率-最大: 175W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.1nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP3F

庫存2,772

APTGLQ600A65T6G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

PWR MOD IGBT4 650V 1200A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1200A
功率-最大: 2000W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 600A
當前-集電極截止（最大值）: 600µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 36.6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存5,526

APTGLQ75H120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

PWR MOD IGBT4 1200V 130A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A
功率-最大: 385W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.4nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存3,582

APTGLQ75H120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A
功率-最大: 385W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.4nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP4

庫存3,240

APTGLQ75H65T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

PWR MOD IGBT4 650V 150A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存8,640

APTGLQ80HR120CT3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
功率-最大: 500W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 80A
當前-集電極截止（最大值）: 150µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存7,704

APTGT100A1202G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 1200V 140A SP2

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A
功率-最大: 480W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 7.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SP2
供應商設備包裝: SP2

庫存3,526

APTGT100A120D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
功率-最大: 520W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 3mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 7nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D1
供應商設備包裝: D1

庫存3,852

APTGT100A120T3AG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 1200V 140A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A
功率-最大: 595W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 7.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存5,346

APTGT100A120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A
功率-最大: 480W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 7.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存5,706

APTGT100A170D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
功率-最大: 695W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 3mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 8.5nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D1
供應商設備包裝: D1

庫存2,538

APTGT100A170TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
功率-最大: 560W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 9nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存3,348

APTGT100A602G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 600V 150A SP2

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
功率-最大: 340W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SP2
供應商設備包裝: SP2

庫存7,218

APTGT100A60T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
功率-最大: 340W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存5,220

APTGT100A60TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
功率-最大: 340W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存2,916

APTGT100BB60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT3 BOOST BUCK SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
功率-最大: 340W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存2,142

APTGT100DA120D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 150A 520W D1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
功率-最大: 520W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 3mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 7nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D1
供應商設備包裝: D1

庫存4,158

APTGT100DA120T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 140A 480W SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A
功率-最大: 480W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 7.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存3,420

APTGT100DA120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 140A 480W SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A
功率-最大: 480W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 7.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存3,744

APTGT100DA170D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1700V 200A 695W D1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
功率-最大: 695W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 3mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 8.5nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D1
供應商設備包裝: D1

庫存7,632

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