晶體管

型號	描述	庫存
APTGL60DDA120T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT4 MODULE TRENCH 1200V SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Dual Boost Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 功率-最大: 280W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.77nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存2,556
APTGL60DH120T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT 1200V 80A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Asymmetrical Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 功率-最大: 280W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.77nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存5,634
APTGL60DSK120T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT 1200V 80A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Dual Buck Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 功率-最大: 280W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.77nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存4,590
APTGL60H120T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT 1200V 80A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 功率-最大: 280W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.77nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存8,748
APTGL60TL120T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE IGBT 1200V 60A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Three Level Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 功率-最大: 280W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.77nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存5,292
APTGL700DA120D3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 PWR MOD IGBT4 1200V 840A D3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 840A 功率-最大: 3000W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 600A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 37.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: D3	庫存3,528
APTGL700SK120D3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 PWR MOD IGBT4 1200V 840A D3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 840A 功率-最大: 3000W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 600A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 37.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: D3	庫存8,712
APTGL700U120D4G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 910A 3000W D4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 910A 功率-最大: 3000W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 600A 當前-集電極截止（最大值）: 4mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 37.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D4 供應商設備包裝: D4	庫存5,526
APTGL90A120T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT 1200V 110A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 385W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.4nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存2,844
APTGL90DA120T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT 1200V 110A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 385W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.4nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存2,916
APTGL90DDA120T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT 1200V 110A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Dual Boost Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 385W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.4nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存5,184
APTGL90DH120T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT 1200V 110A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Asymmetrical Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 385W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.4nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存6,390
APTGL90DSK120T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT 1200V 110A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Dual Buck Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 385W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.4nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存2,034
APTGL90H120T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT 1200V 110A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 385W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.4nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存4,464
APTGL90SK120T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT 1200V 110A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 385W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.4nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存4,536
APTGLQ100A120T3AG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 PWR MOD IGBT4 1200V 185A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 185A 功率-最大: 650W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.15nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存5,724
APTGLQ100A120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 170A 功率-最大: 520W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.42V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.15nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP4	庫存3,060
APTGLQ100A65T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 PWR MOD IGBT4 650V 200A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A 功率-最大: 350W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存4,536
APTGLQ100DA120T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Boost Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 170A 功率-最大: 520W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.42V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.15nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP1	庫存7,686
APTGLQ100H65T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 135A 功率-最大: 350W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.15nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP3F	庫存8,424
APTGLQ150A120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 250A 功率-最大: 750W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 150A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 8.8nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP4	庫存8,298
APTGLQ150H120G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 250A 功率-最大: 750W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 150A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 8.8nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP6	庫存6,588
APTGLQ200A120T3AG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: 2 Independent 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400A 功率-最大: 1250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 160A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 9.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP3F	庫存6,930
APTGLQ200H120G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 PWR MOD IGBT4 1200V 350A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 350A 功率-最大: 1000W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 200A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 12.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存3,258
APTGLQ200H65G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 270A 功率-最大: 680W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 200A 當前-集電極截止（最大值）: 75µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 12.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP6	庫存2,340
APTGLQ200HR120G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300A 功率-最大: 1000W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 160A 當前-集電極截止（最大值）: 200µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 9.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存4,896
APTGLQ25H120T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 功率-最大: 165W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.42V @ 15V, 25A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.43nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP1	庫存2,124
APTGLQ25H120T2G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 功率-最大: 165W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.42V @ 15V, 25A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.43nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP2	庫存7,740
APTGLQ300A120G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500A 功率-最大: 1500W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.42V @ 15V, 300A 當前-集電極截止（最大值）: 200µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 17.6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP6	庫存3,636
APTGLQ300H65G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 PWR MOD IGBT4 650V 600A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600A 功率-最大: 1000W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 300A 當前-集電極截止（最大值）: 300µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 18.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存5,688

APTGL60DDA120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT4 MODULE TRENCH 1200V SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Dual Boost Chopper
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
功率-最大: 280W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.77nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存2,556

APTGL60DH120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 1200V 80A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Asymmetrical Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
功率-最大: 280W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.77nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存5,634

APTGL60DSK120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 1200V 80A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Dual Buck Chopper
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
功率-最大: 280W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.77nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存4,590

APTGL60H120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 1200V 80A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
功率-最大: 280W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.77nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存8,748

APTGL60TL120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE IGBT 1200V 60A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Three Level Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
功率-最大: 280W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.77nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存5,292

APTGL700DA120D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

PWR MOD IGBT4 1200V 840A D3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 840A
功率-最大: 3000W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 600A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 37.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: D3

庫存3,528

APTGL700SK120D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

PWR MOD IGBT4 1200V 840A D3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 840A
功率-最大: 3000W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 600A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 37.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: D3

庫存8,712

APTGL700U120D4G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 910A 3000W D4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 910A
功率-最大: 3000W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 600A
當前-集電極截止（最大值）: 4mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 37.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D4
供應商設備包裝: D4

庫存5,526

APTGL90A120T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 1200V 110A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 385W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.4nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存2,844

APTGL90DA120T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 1200V 110A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 385W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.4nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存2,916

APTGL90DDA120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 1200V 110A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Dual Boost Chopper
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 385W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.4nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存5,184

APTGL90DH120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 1200V 110A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Asymmetrical Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 385W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.4nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存6,390

APTGL90DSK120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 1200V 110A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Dual Buck Chopper
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 385W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.4nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存2,034

APTGL90H120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 1200V 110A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 385W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.4nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存4,464

APTGL90SK120T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 1200V 110A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 385W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.25V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.4nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存4,536

APTGLQ100A120T3AG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

PWR MOD IGBT4 1200V 185A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 185A
功率-最大: 650W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.15nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存5,724

APTGLQ100A120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 170A
功率-最大: 520W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.42V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.15nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP4

庫存3,060

APTGLQ100A65T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

PWR MOD IGBT4 650V 200A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
功率-最大: 350W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存4,536

APTGLQ100DA120T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Boost Chopper
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 170A
功率-最大: 520W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.42V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.15nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP1

庫存7,686

APTGLQ100H65T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 135A
功率-最大: 350W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.15nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP3F

庫存8,424

APTGLQ150A120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 250A
功率-最大: 750W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 150A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 8.8nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP4

庫存8,298

APTGLQ150H120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 250A
功率-最大: 750W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 150A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 8.8nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP6

庫存6,588

APTGLQ200A120T3AG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: 2 Independent
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 400A
功率-最大: 1250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 160A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 9.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP3F

庫存6,930

APTGLQ200H120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

PWR MOD IGBT4 1200V 350A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 350A
功率-最大: 1000W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 200A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 12.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存3,258

APTGLQ200H65G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 270A
功率-最大: 680W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 200A
當前-集電極截止（最大值）: 75µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 12.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP6

庫存2,340

APTGLQ200HR120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300A
功率-最大: 1000W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 160A
當前-集電極截止（最大值）: 200µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 9.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存4,896

APTGLQ25H120T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
功率-最大: 165W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.42V @ 15V, 25A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 1.43nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP1

庫存2,124

APTGLQ25H120T2G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
功率-最大: 165W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.42V @ 15V, 25A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 1.43nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP2

庫存7,740

APTGLQ300A120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500A
功率-最大: 1500W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.42V @ 15V, 300A
當前-集電極截止（最大值）: 200µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 17.6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP6

庫存3,636

APTGLQ300H65G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

PWR MOD IGBT4 650V 600A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600A
功率-最大: 1000W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 300A
當前-集電極截止（最大值）: 300µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 18.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存5,688

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message