晶體管

型號	描述	庫存
APTGT50TL60T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT 600V 80A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Three Level Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 功率-最大: 176W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存5,220
APTGT50X60T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT TRENCH 3PHASE BRIDGE SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Three Phase Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 功率-最大: 176W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存6,246
APTGT580U60D4G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 760A 1600W D4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 760A 功率-最大: 1600W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 600A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 37nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D4 供應商設備包裝: D4	庫存4,248
APTGT600A60G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700A 功率-最大: 2300W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 600A 當前-集電極截止（最大值）: 750µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 49nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存5,652
APTGT600DA60G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 700A 2300W SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700A 功率-最大: 2300W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 600A 當前-集電極截止（最大值）: 750µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 49nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存3,204
APTGT600DU60G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Dual, Common Source 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700A 功率-最大: 2300W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 600A 當前-集電極截止（最大值）: 750µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 49nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存6,768
APTGT600SK60G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT TRENCH BUCK CHOP 600V SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700A 功率-最大: 2300W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 600A 當前-集電極截止（最大值）: 750µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 49nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存4,050
APTGT600U120D4G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 900A 2500W D4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 900A 功率-最大: 2500W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 600A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 40nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D4 供應商設備包裝: D4	庫存6,660
APTGT600U170D4G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1100A 功率-最大: 2900W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 600A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 51nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D4 供應商設備包裝: D4	庫存6,504
APTGT750U60D4G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 1000A 2300W D4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1000A 功率-最大: 2300W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 800A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 49nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D4 供應商設備包裝: D4	庫存7,362
APTGT75A1202G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT 1200V 110A SP2 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 357W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP2 供應商設備包裝: SP2	庫存4,554
APTGT75A120D1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 357W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 4mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5345nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D1 供應商設備包裝: D1	庫存3,258
APTGT75A120T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 357W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存6,102
APTGT75A120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 350W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存3,330
APTGT75A170D1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A 功率-最大: 520W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D1 供應商設備包裝: D1	庫存8,622
APTGT75A60T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT PHASE LEG TRENCH 600V SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存5,994
APTGT75DA120D1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 110A 357W D1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 357W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 4mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5345nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D1 供應商設備包裝: D1	庫存3,454
APTGT75DA120T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 110A 357W SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 357W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存2,286
APTGT75DA120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 110A 357W SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 357W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存5,760
APTGT75DA170D1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1700V 120A 520W D1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A 功率-最大: 520W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D1 供應商設備包裝: D1	庫存7,578
APTGT75DA170T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1700V 130A 465W SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A 功率-最大: 465W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.8nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存6,804
APTGT75DA60T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT 600V 100A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存7,452
APTGT75DDA60T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Dual Boost Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存7,002
APTGT75DH120T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT 1200V 110A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Asymmetrical Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 357W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存8,892
APTGT75DH120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Asymmetrical Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 357W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存3,762
APTGT75DH60T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT 600V 100A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Asymmetrical Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存6,156
APTGT75DH60TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Asymmetrical Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存8,748
APTGT75DSK60T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Dual Buck Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存7,200
APTGT75DU120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Dual, Common Source 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 350W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存5,220
APTGT75H120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 357W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存8,064

APTGT50TL60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 600V 80A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Three Level Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
功率-最大: 176W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存5,220

APTGT50X60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT TRENCH 3PHASE BRIDGE SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
功率-最大: 176W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存6,246

APTGT580U60D4G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 760A 1600W D4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 760A
功率-最大: 1600W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 600A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 37nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D4
供應商設備包裝: D4

庫存4,248

APTGT600A60G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 700A
功率-最大: 2300W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 600A
當前-集電極截止（最大值）: 750µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 49nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存5,652

APTGT600DA60G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 700A 2300W SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 700A
功率-最大: 2300W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 600A
當前-集電極截止（最大值）: 750µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 49nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存3,204

APTGT600DU60G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Dual, Common Source
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 700A
功率-最大: 2300W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 600A
當前-集電極截止（最大值）: 750µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 49nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存6,768

APTGT600SK60G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT TRENCH BUCK CHOP 600V SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 700A
功率-最大: 2300W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 600A
當前-集電極截止（最大值）: 750µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 49nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存4,050

APTGT600U120D4G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 900A 2500W D4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 900A
功率-最大: 2500W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 600A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 40nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D4
供應商設備包裝: D4

庫存6,660

APTGT600U170D4G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1100A
功率-最大: 2900W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 600A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 51nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D4
供應商設備包裝: D4

庫存6,504

APTGT750U60D4G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 1000A 2300W D4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1000A
功率-最大: 2300W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 800A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 49nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D4
供應商設備包裝: D4

庫存7,362

APTGT75A1202G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 1200V 110A SP2

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 357W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP2
供應商設備包裝: SP2

庫存4,554

APTGT75A120D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 357W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 4mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5345nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D1
供應商設備包裝: D1

庫存3,258

APTGT75A120T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 357W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存6,102

APTGT75A120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 350W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存3,330

APTGT75A170D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
功率-最大: 520W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D1
供應商設備包裝: D1

庫存8,622

APTGT75A60T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT PHASE LEG TRENCH 600V SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存5,994

APTGT75DA120D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 110A 357W D1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 357W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 4mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5345nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D1
供應商設備包裝: D1

庫存3,454

APTGT75DA120T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 110A 357W SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 357W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存2,286

APTGT75DA120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 110A 357W SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 357W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存5,760

APTGT75DA170D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1700V 120A 520W D1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
功率-最大: 520W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D1
供應商設備包裝: D1

庫存7,578

APTGT75DA170T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1700V 130A 465W SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A
功率-最大: 465W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.8nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存6,804

APTGT75DA60T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT 600V 100A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存7,452

APTGT75DDA60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Dual Boost Chopper
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存7,002

APTGT75DH120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 1200V 110A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Asymmetrical Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 357W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存8,892

APTGT75DH120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Asymmetrical Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 357W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存3,762

APTGT75DH60T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 600V 100A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Asymmetrical Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存6,156

APTGT75DH60TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Asymmetrical Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存8,748

APTGT75DSK60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Dual Buck Chopper
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存7,200

APTGT75DU120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Dual, Common Source
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 350W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存5,220

APTGT75H120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 357W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存8,064

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