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晶體管

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型號
描述
庫存
數量
APTGT35SK120D1G
APTGT35SK120D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 55A 205W D1

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 55A
  • 功率-最大: 205W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 35A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 2.5nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: D1
  • 供應商設備包裝: D1
庫存3,744
APTGT35X120T3G
APTGT35X120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Three Phase Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 55A
  • 功率-最大: 208W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 35A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 2.5nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP3
  • 供應商設備包裝: SP3
庫存6,750
APTGT400A120D3G
APTGT400A120D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D3

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 580A
  • 功率-最大: 2100W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 400A
  • 當前-集電極截止(最大值): 750µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 29nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: D-3 Module
  • 供應商設備包裝: D3
庫存6,156
APTGT400A120G
APTGT400A120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP6

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 560A
  • 功率-最大: 1785W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 400A
  • 當前-集電極截止(最大值): 750µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 28nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP6
  • 供應商設備包裝: SP6
庫存6,606
APTGT400A60D3G
APTGT400A60D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG D3

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500A
  • 功率-最大: 1250W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.9V @ 15V, 400A
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 24nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: D-3 Module
  • 供應商設備包裝: D3
庫存6,102
APTGT400DA120D3G
APTGT400DA120D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 580A 2100W D3

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 580A
  • 功率-最大: 2100W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 400A
  • 當前-集電極截止(最大值): 750µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 29nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: D-3 Module
  • 供應商設備包裝: D3
庫存5,040
APTGT400DA120G
APTGT400DA120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 560A 1785W SP6

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 560A
  • 功率-最大: 1785W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 400A
  • 當前-集電極截止(最大值): 750µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 28nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP6
  • 供應商設備包裝: SP6
庫存5,814
APTGT400DA60D3G
APTGT400DA60D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 500A 1250W D3

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500A
  • 功率-最大: 1250W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.9V @ 15V, 400A
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 24nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: D-3 Module
  • 供應商設備包裝: D3
庫存7,344
APTGT400DU120G
APTGT400DU120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT TRENCH DUAL SRC 1200V SP6

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Dual, Common Source
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 560A
  • 功率-最大: 1785W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 400A
  • 當前-集電極截止(最大值): 750µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 28nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP6
  • 供應商設備包裝: SP6
庫存3,834
APTGT400SK120D3G
APTGT400SK120D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 580A 2100W D3

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 580A
  • 功率-最大: 2100W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 400A
  • 當前-集電極截止(最大值): 750µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 29nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: D-3 Module
  • 供應商設備包裝: D3
庫存5,562
APTGT400SK120G
APTGT400SK120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 560A 1785W SP6

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 560A
  • 功率-最大: 1785W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 400A
  • 當前-集電極截止(最大值): 750µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 28nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP6
  • 供應商設備包裝: SP6
庫存2,142
APTGT400SK60D3G
APTGT400SK60D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 500A 1250W D3

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500A
  • 功率-最大: 1250W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.9V @ 15V, 400A
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 24nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: D-3 Module
  • 供應商設備包裝: D3
庫存7,380
APTGT400TL65G
APTGT400TL65G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 650V SP6C

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • IGBT類型: -
  • 配置: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 功率-最大: -
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: -
  • 輸入: -
  • NTC熱敏電阻: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存2,916
APTGT400U120D4G
APTGT400U120D4G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 600A 2250W D4

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600A
  • 功率-最大: 2250W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 400A
  • 當前-集電極截止(最大值): 8mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 28nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: D4
  • 供應商設備包裝: D4
庫存5,418
APTGT400U170D4G
APTGT400U170D4G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1700V 800A 2080W D4

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 800A
  • 功率-最大: 2080W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.4V @ 15V, 400A
  • 當前-集電極截止(最大值): 1mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 33nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: D4
  • 供應商設備包裝: D4
庫存8,586
APTGT450A60G
APTGT450A60G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP6

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 550A
  • 功率-最大: 1750W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.8V @ 15V, 450A
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 37nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP6
  • 供應商設備包裝: SP6
庫存2,384
APTGT450DA60G
APTGT450DA60G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 550A 1750W SP6

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 550A
  • 功率-最大: 1750W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.8V @ 15V, 450A
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 37nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP6
  • 供應商設備包裝: SP6
庫存7,938
APTGT450DU60G
APTGT450DU60G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Dual, Common Source
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 550A
  • 功率-最大: 1750W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.8V @ 15V, 450A
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 37nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP6
  • 供應商設備包裝: SP6
庫存5,292
APTGT450SK60G
APTGT450SK60G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 550A 1750W SP6

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 550A
  • 功率-最大: 1750W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.8V @ 15V, 450A
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 37nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP6
  • 供應商設備包裝: SP6
庫存8,406
APTGT50A1202G
APTGT50A1202G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 1200V 75A SP2

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 277W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 50µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.6nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP2
  • 供應商設備包裝: SP2
庫存4,878
APTGT50A120D1G
APTGT50A120D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 270W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.6nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: D1
  • 供應商設備包裝: D1
庫存2,736
APTGT50A120T1G
APTGT50A120T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 277W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.6nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP1
  • 供應商設備包裝: SP1
庫存3,006
APTGT50A120TG
APTGT50A120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 277W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.6nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP4
  • 供應商設備包裝: SP4
庫存5,760
APTGT50A170D1G
APTGT50A170D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 70A
  • 功率-最大: 310W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.4V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 6mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 4.4nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: D1
  • 供應商設備包裝: D1
庫存3,526
APTGT50A170T1G
APTGT50A170T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 312W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.4V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 4.4nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP1
  • 供應商設備包裝: SP1
庫存5,400
APTGT50A170TG
APTGT50A170TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 312W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.4V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 4.4nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP4
  • 供應商設備包裝: SP4
庫存3,276
APTGT50A60T1G
APTGT50A60T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80A
  • 功率-最大: 176W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.9V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.15nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP1
  • 供應商設備包裝: SP1
庫存6,336
APTGT50DA120D1G
APTGT50DA120D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 75A 270W D1

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 270W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.6nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: D1
  • 供應商設備包裝: D1
庫存5,004
APTGT50DA120TG
APTGT50DA120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 75A 277W SP4

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 277W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.6nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP4
  • 供應商設備包裝: SP4
庫存2,502
APTGT50DA170D1G
APTGT50DA170D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1700V 70A 310W D1

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 70A
  • 功率-最大: 310W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.4V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 6mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 4.4nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: D1
  • 供應商設備包裝: D1
庫存5,562