晶體管

2SD1857TV2Q

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 2A ATV

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 3-SIP
• 供應商設備包裝: ATV

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2SD1857TV2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 2A ATV

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 3-SIP
• 供應商設備包裝: ATV

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2SD1858TV2P

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 32V 1A ATV

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 32V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 100mA, 3V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 3-SIP
• 供應商設備包裝: ATV

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2SD1858TV2Q

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 32V 1A ATV

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 32V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 3V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 3-SIP
• 供應商設備包裝: ATV

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2SD1858TV2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 32V 1A ATV

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 32V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 100mA, 3V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 3-SIP
• 供應商設備包裝: ATV

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2SD1859TV2Q

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 0.7A ATV

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 3V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 3-SIP
• 供應商設備包裝: ATV

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2SD1859TV2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 0.7A ATV

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 100mA, 3V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 3-SIP
• 供應商設備包裝: ATV

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2SD1861TV2

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 40V 2A ATV TB

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1.2mA, 600mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 500mA, 3V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 3-SIP
• 供應商設備包裝: ATV

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2SD1862TV2Q

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 32V 2A ATV

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 32V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 800mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 3V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 3-SIP
• 供應商設備包裝: ATV

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2SD1862TV2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 32V 2A ATV

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 32V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 800mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 500mA, 3V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 3-SIP
• 供應商設備包裝: ATV

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2SD1863TV2Q

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 1A ATV

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 3V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 3-SIP
• 供應商設備包裝: ATV

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2SD1863TV2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 1A ATV

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 500mA, 3V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 3-SIP
• 供應商設備包裝: ATV

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2SD1864TV2Q

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 3A ATV

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 3V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 90MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 3-SIP
• 供應商設備包裝: ATV

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2SD1864TV2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 3A ATV

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 500mA, 3V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 90MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 3-SIP
• 供應商設備包裝: ATV

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2SD1866TV2

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 2A ATV

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 3-SIP
• 供應商設備包裝: ATV

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2SD1867TV2

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 2A ATV

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 3-SIP
• 供應商設備包裝: ATV

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2SD1898T100P

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 1A SOT-89

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 500mA, 3V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SD1898T100Q

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 1A SOT-89

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 3V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SD1898T100R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 1A SOT-89

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 500mA, 3V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SD1899-L-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 150mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 600mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: D-Pak

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2SD1913S

SANYO Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO-220ML

• 制造商: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 500mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220ML

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2SD1918TLQ

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 1.5A SOT-428

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 10W
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: CPT3

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2SD1938FSL

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 0.3A MINI

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 4mA, 2V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: Mini3-G1

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2SD1938FTL

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 0.3A MINI

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 800 @ 4mA, 2V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: Mini3-G1

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2SD1949T106Q

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.5A SOT-323

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 10mA, 3V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: UMT3

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2SD1949T106R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.5A SOT-323

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 10mA, 3V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: UMT3

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2SD1963T100R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 3A SOT-89

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SD1963T100S

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 3A SOT-89

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SD19790SL

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 0.3A SMINI-3P

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 4mA, 2V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SMini3-G1

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2SD1979GSL

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 0.3A SMINI-3

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 4mA, 2V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-85
• 供應商設備包裝: SMini3-F2

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