晶體管

型號	描述	庫存
BUK762R9-40E/GFJ NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH D2PAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,870
BUK763R9-60E/GFJ NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH D2PAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,546
BUK768R1-40E/GFJ NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH D2PAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,246
BUK7Y41-80E/GFX NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,416
BUK7Y43-60E/GFX NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,474
BUK7Y7R6-40E/GFX NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,456
BUK7Y9R9-80E/CX Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-100, SOT-669 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8	庫存5,688
BUK92150-55A/CDJ Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: TO-252-3	庫存3,006
BUK9277-55A/CDJ Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH DPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: TO-252-3	庫存3,384
BUK9675-100A/C1J NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,464
BUK9C07-65BIT,118 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH DPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-7, DPak (6 Leads + Tab) 供應商設備包裝: DPAK	庫存6,498
BUK9K29-100E/CX NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,374
BUK9MPP-65PLL,518 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 9605 AUTO TRENCH PLUS 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,120
BUK9Y11-30B/C1,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,086
BUK9Y12-40E/GFX NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,956
BUK9Y25-60E/GFX NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,914
BUK9Y29-40E/CX NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,292
BUK9Y30-75B/C1,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,546
BUK9Y3R0-40E/CX NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,478
BUK9Y3R0-40E/GFX NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,914
BUK9Y41-80E/GFX NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,816
BUK9Y43-60E/GFX NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,618
BUK9Y59-60E/GFX NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,118
BUK9Y7R6-40E/GFX NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 MOSFET N-CH LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,424
BUL1102E STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 450V 4A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 450V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 400mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 12 @ 2A, 5V 功率-最大: 70W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220	庫存6,996
BUL1102EFP STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 450V 4A TO-220FP 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 450V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 400mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 12 @ 2A, 5V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝: TO-220 Full Pack	庫存20,316
BUL1203E STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 550V 5A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 550V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1A, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 9 @ 2A, 5V 功率-最大: 100W 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220AB	庫存16,488
BUL1203EFP STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 550V 5A TO-220FP 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 550V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1A, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 9 @ 2A, 5V 功率-最大: 36W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存5,598
BUL128 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 400V 4A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1A, 4A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 14 @ 2A, 5V 功率-最大: 70W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220AB	庫存6,246
BUL128D-B STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 400V 4A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1A, 4A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 12 @ 2A, 5V 功率-最大: 70W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220AB	庫存5,238

BUK762R9-40E/GFJ

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH D2PAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,870

BUK763R9-60E/GFJ

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH D2PAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,546

BUK768R1-40E/GFJ

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH D2PAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,246

BUK7Y41-80E/GFX

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,416

BUK7Y43-60E/GFX

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,474

BUK7Y7R6-40E/GFX

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,456

BUK7Y9R9-80E/CX

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-100, SOT-669
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8

庫存5,688

BUK92150-55A/CDJ

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: TO-252-3

庫存3,006

BUK9277-55A/CDJ

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH DPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: TO-252-3

庫存3,384

BUK9675-100A/C1J

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,464

BUK9C07-65BIT,118

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH DPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-7, DPak (6 Leads + Tab)
供應商設備包裝: DPAK

庫存6,498

BUK9K29-100E/CX

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,374

BUK9MPP-65PLL,518

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

9605 AUTO TRENCH PLUS

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,120

BUK9Y11-30B/C1,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,086

BUK9Y12-40E/GFX

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,956

BUK9Y25-60E/GFX

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,914

BUK9Y29-40E/CX

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,292

BUK9Y30-75B/C1,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,546

BUK9Y3R0-40E/CX

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,478

BUK9Y3R0-40E/GFX

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,914

BUK9Y41-80E/GFX

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,816

BUK9Y43-60E/GFX

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,618

BUK9Y59-60E/GFX

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,118

BUK9Y7R6-40E/GFX

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,424

BUL1102E

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 450V 4A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 450V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 400mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 12 @ 2A, 5V
功率-最大: 70W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220

庫存6,996

BUL1102EFP

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 450V 4A TO-220FP

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 450V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 400mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 12 @ 2A, 5V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝: TO-220 Full Pack

庫存20,316

BUL1203E

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 550V 5A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 550V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1A, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 9 @ 2A, 5V
功率-最大: 100W
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220AB

庫存16,488

BUL1203EFP

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 550V 5A TO-220FP

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 550V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1A, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 9 @ 2A, 5V
功率-最大: 36W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存5,598

BUL128

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 4A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1A, 4A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 14 @ 2A, 5V
功率-最大: 70W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220AB

庫存6,246

BUL128D-B

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 4A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1A, 4A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 12 @ 2A, 5V
功率-最大: 70W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220AB

庫存5,238

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