晶體管

DZT851-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 6A SOT-223

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 375mV @ 300mA, 6A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 2A, 1V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 130MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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DZT853-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 6A SOT223

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 340mV @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 2A, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 130MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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DZT951-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 5A SOT-223

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 460mV @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 2A, 1V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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DZT953-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 5A SOT223

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 420mV @ 400mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1A, 1V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 125MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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DZT955-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 140V 4A SOT-223

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 370mV @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1A, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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DZTA42-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.5A SOT-223

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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DZTA42Q-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 500MA SOT223

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 1mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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DZTA92-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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ECH8102-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 12A ECH8

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 135mV @ 300mA, 6A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1.6W
• 頻率-過渡: 140MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
• 供應商設備包裝: 8-ECH

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EN2222A

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN TO-106

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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EN2907A

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN TO-106

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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ESM2012DV

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1A, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1200 @ 100A, 5V
• 功率-最大: 175W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: ISOTOP
• 供應商設備包裝: ISOTOP®

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ESM2030DV

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 300V 67A ISOTOP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 67A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1.6A, 56A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 56A, 5V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: ISOTOP
• 供應商設備包裝: ISOTOP®

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ESM3030DV

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 300V 100A ISOTOP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 2.4A, 85A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 85A, 5V
• 功率-最大: 225W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
• 供應商設備包裝: ISOTOP®

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ESM3045DV

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 450V 24A ISOTOP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 450V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 1.2A, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 20A, 5V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: ISOTOP
• 供應商設備包裝: ISOTOP®

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ESM4045DV

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 450V 42A ISOTOP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 42A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 450V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 2A, 35A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 220 @ 35A, 5V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: ISOTOP
• 供應商設備包裝: ISOTOP®

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ESM5045DV

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 450V 60A ISOTOP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 450V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 2.8A, 50A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 50A, 5V
• 功率-最大: 175W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: ISOTOP
• 供應商設備包裝: ISOTOP®

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ESM6045AV

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 450V 72A ISOTOP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 72A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 450V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.3V @ 2.4A, 60A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 60A, 5V
• 功率-最大: 250W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: ISOTOP
• 供應商設備包裝: ISOTOP®

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ESM6045DV

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 450V 84A ISOTOP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 84A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 450V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.35V @ 4A, 70A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 70A, 5V
• 功率-最大: 250W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: ISOTOP
• 供應商設備包裝: ISOTOP®

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FCX1047ATA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 10V 4A SOT-89

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 25mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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FCX1051ATA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 3A SOT-89

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 340mV @ 100mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 290 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 155MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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FCX1053ATA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 75V 3A SOT-89

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 75V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 440mV @ 200mA, 4.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 140MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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FCX1147ATA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 12V 3A SOT-89

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 115MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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FCX1149ATA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V 3A SOT-89

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 140mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 135MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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FCX1151ATA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 3A SOT-89

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 145MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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FCX2016TC

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V SOT89

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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FCX458TA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 0.225A SOT-89

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 225mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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FCX491ATA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 1A SOT-89

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 500mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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FCX491QTA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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FCX491TA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 1A SOT-89

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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