晶體管

MJD31C1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 3A IPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 1.56W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• 供應商設備包裝: I-PAK

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MJD31CETF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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MJD31CG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 3A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 1.56W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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MJD31CITU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 3A IPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 1.56W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• 供應商設備包裝: I-PAK

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MJD31CQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 3A DPAK

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1μA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 15W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: TO-252

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MJD31CRL

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 3A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 1.56W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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MJD31CRLG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 3A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 1.56W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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MJD31CT4

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 3A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 1.56W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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MJD31CT4

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 3A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 15W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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MJD31CT4-A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 3A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 15W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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MJD31CT4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 3A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 1.56W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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MJD31CTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 3A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 1.56W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: D-Pak

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MJD31CTF_NBDD001

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 3A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 1.56W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: D-Pak

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MJD31CTF_SBDD001A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 3A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 1.56W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: D-Pak

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MJD31CUQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

PWR MID PERF TRANSISTOR TO252

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1μA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 1.6W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)

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MJD31T4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 3A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 1.56W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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MJD32C

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 3A D-PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 15W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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MJD32C-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 3A TO252-3L

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1μA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 15W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: TO-252-2

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MJD32CG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 3A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 1.56W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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MJD32CQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 3A TO252-3L

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1μA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 15W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: TO-252

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MJD32CRL

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 3A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 1.56W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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MJD32CRLG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 3A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 1.56W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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MJD32CT4

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 3A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 15W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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MJD32CT4-A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 3A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 15W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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MJD32CT4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 3A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 1.56W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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MJD32CTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 3A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 1.56W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: D-Pak

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MJD32CTF_NBDD002

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 3A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 1.56W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: D-Pak

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MJD32CTM

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 3A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 1.56W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: D-Pak

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MJD32C-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 3A DPAK

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 1.25W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: D-Pak

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MJD32CUQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

PWR MID PERF TRANSISTOR TO252

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 375mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1μA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 1.6W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)

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