晶體管

型號	描述	庫存
MJD210T4G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 25V 5A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1A, 5A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 45 @ 2A, 1V 功率-最大: 1.4W 頻率-過渡: 65MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存36,414
MJD210TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 25V 5A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1A, 5A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 45 @ 2A, 1V 功率-最大: 1.4W 頻率-過渡: 65MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: D-Pak	庫存4,302
MJD243 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 100V 4A DPAK-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 200mA, 1V 功率-最大: 1.4W 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存4,464
MJD243G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 100V 4A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 200mA, 1V 功率-最大: 1.4W 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存21,048
MJD243T4 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 100V 4A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 200mA, 1V 功率-最大: 1.4W 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存7,614
MJD243T4G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 100V 4A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 200mA, 1V 功率-最大: 1.4W 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存53,694
MJD253-001 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 100V 4A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 200mA, 1V 功率-最大: 1.4W 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 供應商設備包裝: I-PAK	庫存6,570
MJD253-1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 100V 4A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 200mA, 1V 功率-最大: 1.4W 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 供應商設備包裝: I-PAK	庫存21,336
MJD253T4 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 100V 4A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 200mA, 1V 功率-最大: 1.4W 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存2,322
MJD253T4G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 100V 4A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 200mA, 1V 功率-最大: 1.4W 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存23,556
MJD2955 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 10A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 2MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存2,898
MJD2955-001 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 10A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 2MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 供應商設備包裝: I-PAK	庫存5,472
MJD2955-1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 10A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 2MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 供應商設備包裝: I-PAK	庫存4,896
MJD2955G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 10A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 2MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存21,240
MJD2955RLG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 10A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,678
MJD2955T4 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 10A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 2MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存4,464
MJD2955T4 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 10A DPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V 功率-最大: 20W 頻率-過渡: 2MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存6,012
MJD2955T4G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 10A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 2MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存60,354
MJD2955TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 10A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 2MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: D-Pak	庫存8,514
MJD29CTF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 100V 1A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 125mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 1A, 4V 功率-最大: 1.56W 頻率-過渡: 3MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: D-Pak	庫存5,382
MJD3055 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 10A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 2MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存3,276
MJD3055G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 10A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 2MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存4,950
MJD3055RLG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 10A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,562
MJD3055T4 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 10A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 2MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存6,498
MJD3055T4 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 10A DPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V 功率-最大: 20W 頻率-過渡: 2MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存20,736
MJD3055T4G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 10A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 2MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存205,350
MJD3055TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 10A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 2MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: D-Pak	庫存8,892
MJD31C STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 100V 3A D-PAK 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V 功率-最大: 15W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存6,516
MJD31C1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 100V 3A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V 功率-最大: 1.56W 頻率-過渡: 3MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 供應商設備包裝: I-PAK	庫存6,156
MJD31C-13 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 100V 3A DPAK 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V 功率-最大: 1.56W 頻率-過渡: 3MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: DPAK	庫存8,910

MJD210T4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V 5A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1A, 5A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 45 @ 2A, 1V
功率-最大: 1.4W
頻率-過渡: 65MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存36,414

MJD210TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V 5A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1A, 5A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 45 @ 2A, 1V
功率-最大: 1.4W
頻率-過渡: 65MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: D-Pak

庫存4,302

MJD243

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 4A DPAK-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 200mA, 1V
功率-最大: 1.4W
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存4,464

MJD243G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 4A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 200mA, 1V
功率-最大: 1.4W
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存21,048

MJD243T4

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 4A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 200mA, 1V
功率-最大: 1.4W
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存7,614

MJD243T4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 4A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 200mA, 1V
功率-最大: 1.4W
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存53,694

MJD253-001

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 4A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 200mA, 1V
功率-最大: 1.4W
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝: I-PAK

庫存6,570

MJD253-1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 4A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 200mA, 1V
功率-最大: 1.4W
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝: I-PAK

庫存21,336

MJD253T4

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 4A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 200mA, 1V
功率-最大: 1.4W
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存2,322

MJD253T4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 4A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 200mA, 1V
功率-最大: 1.4W
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存23,556

MJD2955

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 10A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 2MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存2,898

MJD2955-001

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 10A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 2MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝: I-PAK

庫存5,472

MJD2955-1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 10A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 2MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝: I-PAK

庫存4,896

MJD2955G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 10A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 2MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存21,240

MJD2955RLG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 10A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,678

MJD2955T4

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 10A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 2MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存4,464

MJD2955T4

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 10A DPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
功率-最大: 20W
頻率-過渡: 2MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存6,012

MJD2955T4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 10A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 2MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存60,354

MJD2955TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 10A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 2MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: D-Pak

庫存8,514

MJD29CTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 1A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 125mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 1A, 4V
功率-最大: 1.56W
頻率-過渡: 3MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: D-Pak

庫存5,382

MJD3055

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 10A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 2MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存3,276

MJD3055G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 10A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 2MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存4,950

MJD3055RLG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 10A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,562

MJD3055T4

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 10A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 2MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存6,498

MJD3055T4

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 10A DPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
功率-最大: 20W
頻率-過渡: 2MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存20,736

MJD3055T4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 10A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 2MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存205,350

MJD3055TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 10A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 2MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: D-Pak

庫存8,892

MJD31C

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 3A D-PAK

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
功率-最大: 15W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存6,516

MJD31C1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 3A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
功率-最大: 1.56W
頻率-過渡: 3MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝: I-PAK

庫存6,156

MJD31C-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 3A DPAK

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 4V
功率-最大: 1.56W
頻率-過渡: 3MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: DPAK

庫存8,910

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