Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

晶體管

記錄 64,903
頁面 653/2164
圖片
型號
描述
庫存
數量
DTC013ZEBTL
DTC013ZEBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.15W SC89

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: EMT3F (SOT-416FL)
庫存6,714
DTC013ZMT2L
DTC013ZMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: VMT3
庫存77,718
DTC013ZUBTL
DTC013ZUBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.2W UMT3F

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-85
  • 供應商設備包裝: UMT3F
庫存26,040
DTC014EEBTL
DTC014EEBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 50mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: EMT3F (SOT-416FL)
庫存2,160
DTC014EMT2L
DTC014EMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 50mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: VMT3
庫存2,250
DTC014EUBTL
DTC014EUBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 50mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-85
  • 供應商設備包裝: UMT3F
庫存25,506
DTC014TEBTL
DTC014TEBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: EMT3F (SOT-416FL)
庫存3,474
DTC014TMT2L
DTC014TMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: VMT3
庫存3,600
DTC014TUBTL
DTC014TUBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-85
  • 供應商設備包裝: UMT3F
庫存8,136
DTC014YEBTL
DTC014YEBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 70mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: EMT3F (SOT-416FL)
庫存5,922
DTC014YMT2L
DTC014YMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 70mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: VMT3
庫存8,982
DTC014YUBTL
DTC014YUBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 70mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-85
  • 供應商設備包裝: UMT3F
庫存8,100
DTC015EEBTL
DTC015EEBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 20mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 100 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: EMT3F (SOT-416FL)
庫存29,772
DTC015EMT2L
DTC015EMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 20mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 100 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: VMT3
庫存6,606
DTC015EUBTL
DTC015EUBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 20mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 100 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-85
  • 供應商設備包裝: UMT3F
庫存8,874
DTC015TEBTL
DTC015TEBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: EMT3F (SOT-416FL)
庫存3,258
DTC015TMT2L
DTC015TMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: VMT3
庫存7,056
DTC015TUBTL
DTC015TUBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-85
  • 供應商設備包裝: UMT3F
庫存25,950
DTC023EEBTL
DTC023EEBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 20 @ 20mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: EMT3F (SOT-416FL)
庫存8,694
DTC023EMT2L
DTC023EMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 20 @ 20mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: VMT3
庫存5,220
DTC023EUBTL
DTC023EUBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 20 @ 20mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-85
  • 供應商設備包裝: UMT3F
庫存8,460
DTC023JEBTL
DTC023JEBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: EMT3F (SOT-416FL)
庫存22,752
DTC023JMT2L
DTC023JMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: VMT3
庫存2,484
DTC023JUBTL
DTC023JUBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-85
  • 供應商設備包裝: UMT3F
庫存4,536
DTC023YEBTL
DTC023YEBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: EMT3F (SOT-416FL)
庫存101,586
DTC023YMT2L
DTC023YMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: VMT3
庫存79,320
DTC023YUBTL
DTC023YUBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-85
  • 供應商設備包裝: UMT3F
庫存7,686
DTC024EEBTL
DTC024EEBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 30mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: EMT3F (SOT-416FL)
庫存2,628
DTC024EMT2L
DTC024EMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 30mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: VMT3
庫存6,984
DTC024EUBTL
DTC024EUBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 30mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-85
  • 供應商設備包裝: UMT3F
庫存5,508