晶體管

型號	描述	庫存
NSM21156DW6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 65V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存7,560
NSM21356DW6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 65V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存5,670
NSM46211DW6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/NPN SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 65V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V / 200 @ 2mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存8,262
NSTB1002DXV5T1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 40V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 500mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-553 供應商設備包裝: SOT-553	庫存7,218
NSTB1002DXV5T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 40V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 500mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-553 供應商設備包裝: SOT-553	庫存4,626
NSTB1003DXV5T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-553 供應商設備包裝: SOT-553	庫存5,148
NSTB1004DXV5T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-553 供應商設備包裝: SOT-553	庫存3,562
NSTB60BDW1T1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 140MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存5,868
NSTB60BDW1T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 140MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存29,004
NSVB114YPDXV6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS BRT 50V 100MA SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存2,700
NSVB123JPDXV6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存2,160
NSVB124XPDXV6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存6,552
NSVB143TPDXV6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 357mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存5,022
NSVB143ZPDXV6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS BRT 50V 100MA SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存3,132
NSVB144EPDXV6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存7,560
NSVB1706DMW5T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 供應商設備包裝: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	庫存5,328
NSVBA114EDXV6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563-6	庫存8,712
NSVBA114YDXV6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存3,132
NSVBA143ZDXV6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564 制造商: ON Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,112
NSVBC114EDXV6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存6,786
NSVBC114EPDXV6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP BIAS SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存6,192
NSVBC114YDXV6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存2,934
NSVBC114YPDXV65G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存8,622
NSVBC114YPDXV6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存7,398
NSVBC123JPDXV6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存5,706
NSVBC124EDXV6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存4,824
NSVBC124EPDXV6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 SS SOT563 DUAL RSTR XSTR 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 339W 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存5,922
NSVBC124XDXV6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,912
NSVBC124XPDXV6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存2,862
NSVBC143TPDXV6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存3,042

NSM21156DW6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 65V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存7,560

NSM21356DW6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 65V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存5,670

NSM46211DW6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/NPN SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 65V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V / 200 @ 2mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存8,262

NSTB1002DXV5T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 40V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 500mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-553
供應商設備包裝: SOT-553

庫存7,218

NSTB1002DXV5T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 40V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 500mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-553
供應商設備包裝: SOT-553

庫存4,626

NSTB1003DXV5T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-553
供應商設備包裝: SOT-553

庫存5,148

NSTB1004DXV5T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-553
供應商設備包裝: SOT-553

庫存3,562

NSTB60BDW1T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 140MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存5,868

NSTB60BDW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 140MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存29,004

NSVB114YPDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS BRT 50V 100MA SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存2,700

NSVB123JPDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存2,160

NSVB124XPDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存6,552

NSVB143TPDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 357mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存5,022

NSVB143ZPDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS BRT 50V 100MA SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存3,132

NSVB144EPDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存7,560

NSVB1706DMW5T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
供應商設備包裝: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)

庫存5,328

NSVBA114EDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563-6

庫存8,712

NSVBA114YDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存3,132

NSVBA143ZDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564

制造商: ON Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,112

NSVBC114EDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存6,786

NSVBC114EPDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP BIAS SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存6,192

NSVBC114YDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存2,934

NSVBC114YPDXV65G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存8,622

NSVBC114YPDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存7,398

NSVBC123JPDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存5,706

NSVBC124EDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存4,824

NSVBC124EPDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

SS SOT563 DUAL RSTR XSTR

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 339W
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存5,922

NSVBC124XDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,912

NSVBC124XPDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存2,862

NSVBC143TPDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存3,042

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