晶體管

PIMC31F

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PIMC31/SOT457/SC-74

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 420mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 供應商設備包裝: 6-TSOP

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PIMD2,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 600mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: 6-TSOP

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PIMD2,125

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 600mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: 6-TSOP

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PIMD3,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 600mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: 6-TSOP

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PIMD3F

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PIMD3/SOT457/SC-74

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 230MHz, 180MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 供應商設備包裝: 6-TSOP

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PIMH9,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.6W 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 600mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: 6-TSOP

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PIMN31,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.42W 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 420mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: 6-TSOP

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PQMB11Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PNP/PNP RET 6DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 180MHz
• 功率-最大: 230mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1010B-6

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PQMD10Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP RET 6DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 230MHz, 180MHz
• 功率-最大: 230mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1010B-6

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PQMD12Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.35W 6DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 230MHz, 180MHz
• 功率-最大: 350mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1010B-6

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PQMD13Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP RET 6DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 230MHz, 180MHz
• 功率-最大: 350mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1010B-6

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PQMD16Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP RET 6DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 230MHz, 180MHz
• 功率-最大: 350mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1010B-6

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PQMD2Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP RET 6DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 230MHz, 180MHz
• 功率-最大: 230mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1010B-6

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PQMD3Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP RET 6DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 230MHz, 180MHz
• 功率-最大: 230mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1010B-6

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PQMH10Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/NPN RET 6DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 230MHz
• 功率-最大: 350mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1010B-6

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PQMH11Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/NPN RET 6DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 230MHz
• 功率-最大: 230mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1010B-6

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PQMH13Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/NPN RET 6DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 230MHz
• 功率-最大: 230mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1010B-6

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PQMH2Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/NPN RET 6DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 230MHz
• 功率-最大: 230mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1010B-6

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PQMH9Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/NPN RET 6DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 230MHz
• 功率-最大: 230mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1010B-6

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PRMB11Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PRMB11/SOT1268/DFN1412-6

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 頻率-過渡: 180MHz
• 功率-最大: 480mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1412-6

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PRMD10Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PRMD10/SOT1268/DFN1412-6

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 頻率-過渡: 230MHz
• 功率-最大: 480mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1412-6

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PRMD12Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PRMD12/SOT1268/DFN1412-6

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 230MHz
• 功率-最大: 480mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1412-6

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PRMD13Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PRMD13/SOT1268/DFN1412-6

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 230MHz
• 功率-最大: 480mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1412-6

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PRMD16Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PRMD16/SOT1268/DFN1412-6

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 230MHz
• 功率-最大: 480mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1412-6

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PRMD2Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PRMD2/SOT1268/DFN1412-6

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 230MHz
• 功率-最大: 480mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1412-6

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PRMD3Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PRMD3/SOT1268/DFN1412-6

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 230MHz
• 功率-最大: 480mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1412-6

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PRMH10Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PRMH10/SOT1268/DFN1412-6

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 頻率-過渡: 230MHz
• 功率-最大: 480mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1412-6

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PRMH11Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PRMH11/SOT1268/DFN1412-6

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 230MHz
• 功率-最大: 480mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1412-6

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PRMH13Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PRMH13/SOT1268/DFN1412-6

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 230MHz
• 功率-最大: 480mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1412-6

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PRMH2Z

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PRMH2/SOT1268/DFN1412-6

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 230MHz
• 功率-最大: 480mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1412-6

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